TSMC доказала, что новые EUV-сканеры ASML NXE:3300B могут работать с приличной скоростью
Тренировка.

Вопрос с практическим внедрением сканеров с излучением 13,5 нм (диапазон EUV) до конца не определён. Компания Intel планирует выпускать 10-нм и даже 7-нм полупроводники с использованием современных 193-нм сканеров. Компания TSMC допускает, что часть критических слоёв в составе 10-нм решений может проецироваться с помощью EUV-сканеров.

реклама

Препятствием для перехода на EUV-сканеры было и остаётся сравнительно небольшая мощность источников излучения в крайнем ультрафиолетовом диапазоне. Предсерийные образцы сканеров ASML NXE:3300B модернизированы до источника излучения 90 Вт. В следующем году эти установки будут модернизированы до версий NXE:3350B с источником излучения 125 Вт. В идеале на заводы для массового производства должны поступить сканеры с источниками излучения 250 Вт. Будет ли это достигнуто к 2016 году, неизвестно.

Как сообщается, компания TSMC на практике доказала, что даже сканеры ASML NXE:3300B с 90-ваттным источником могут обрабатывать коммерческие объёмы кремниевых подложек. За сутки один сканер NXE:3300B смог экспонировать 1022 подложки. Предыдущий рекорд принадлежал компании IBM, которая за сутки обработала на аналогичном оборудовании порядка 900 пластин. Отметим, сканер TSMC работал в течение только одних суток. Двое суток подряд он бы не выдержал, поэтому говорить о значительном успехе по внедрению EUV-оборудования не приходится. При запуске на несколько суток подряд скорость обработки едва превышает 400 пластин в сутки.

Оценитe материал
рейтинг: 4.5 из 5
голосов: 25

Комментарии Правила

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают