В ноябре прошлого года компания Intel фактически растёрла в пыль устремления компании TSMC по внедрению в производство 16-нм техпроцесса и FinFET-транзисторов. Если вспомнить те дни, то по мере снижения масштаба производства на графике роста плотности транзисторов между 20-нм техпроцессом и 16-нм FinFET мы увидим прямую линию. Это означает, что компания TSMC при переходе с 20 "планарных" нанометров на 16 "вертикальных" нанометров не сможет увеличить плотность размещения транзисторов и, следовательно, умножить их число на кристалле равной площади. Отметим, Intel напрямую не называет имени TSMC, но других производителей полупроводников с 16-нм техпроцессом попросту нет.

Сравнивая 16-нм FinFET процесс TSMC со своим 14-нм FinFET процессом компания делает вывод, что она перед формальным конкурентом имеет преимущество по числу транзисторов на единицу площади на уровне 35%. Этот вывод, судя по всему, базируется на том, что 16-нм FinFET техпроцесс TSMC представляет собой использование 20-нм литографической проекции с переходом на вертикальные (FinFET затворы). Иными словами, плотность размещения транзисторов не может увеличиться, поскольку под затвор всё равно резервируется "пятно", полученное с разрешением сканера на уровне 20 нм. Компания TSMC и некоторые профильные специалисты не согласны с такой трактовкой.

По расчётам тайваньского контрактника, переход с 20 нм на 16FinFET (точнее, на 16FinFET+) увеличит плотность размещения транзисторов на 15%. В такой формулировке преимущества 14-нм техпроцесса Intel уже не столь очевидны, а если взять в расчёт то, что 20-нм кристалл Apple A8 площадью 89 кв. мм содержит 2 млрд. транзисторов, а 14-нм кристалл Intel Core M только 1,3 млрд. на площади 82 кв. мм, то слова Intel о безусловном лидерстве фирменных техпроцессов могут выдавать желаемое за действительное.