Энергонезависимая память с характеристиками оперативной памяти — это интересное и ожидаемое новшество для компьютерного рынка. Вряд ли кто-то откажется от возможности мгновенно включать и выключать компьютер, ведь ОЗУ больше не будет терять данные при отсутствии электропитания. Подобное сулит память типа ReRAM (Resistive Random Access Memory, резистивная RAM), начало массового производства которой могло начаться в конце текущего года. К сожалению, сроки запуска микросхем ReRAM в серию вновь пересмотрены. Во всяком случае, об этом в интервью информагентству Bloomberg заявил глава южнокорейской компании SK Hynix, Ли Джун Хун (Lee Jung Hoon).

По словам высокопоставленного управленца, клиенты компании смогут получать коммерческие поставки памяти ReRAM не ранее 2015 года. Иными словами, начало выпуска резистивной RAM силами компании SK Hynix отодвинуто минимум на полтора года. В качестве клиентов компания называет американские компании HP и IBM. С первой всё понятно, данную разработку она фактически лицензировала своему южнокорейскому партнёру. Что касается IBM, то здесь связь не такая очевидная, хотя память ReRAM интересна с точки зрения серверного применения. Наконец, SK Hynix называет имя ещё одного потенциального заказчика на ReRAM — это японская компания Toshiba. Однако в этом есть сомнения.

С одной стороны, источник сообщает, что, начиная с 2011 года, SK Hynix и Toshiba являются партнёрами по разработке нового типа памяти. Если такая информация была, то она почему-то прошла мимо нас. Известно, что Toshiba плотно занимается разработкой ReRAM и в них нет места компании SK Hynix. В планах японского производителя отмечено, что массовый выпуск микросхем новой памяти должен состояться в 2015 году. Это косвенно подтверждает американская компания SanDisk, плотно сидящая на производстве Toshiba. Таким образом, на практике с ReRAM мы познакомимся, похоже, не ранее 2015 года, а учитывая традиционные проволочки, быть может, и на год-два позже.