Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware GreenCo
Зарисовки к событиям завтрашнего дня.

реклама

Завтра начинает свою работу ежегодная конференция International Electron Devices Meeting (IEDM). За три последующих дня на нас обещает вылиться масса интересной информации, которую нам предстоит разгребать потом не один день. Это детали работы 22-нм Tri-Gate транзисторов Intel, FinFET-транзисторы TSMC с элементами из германия, 22-нм SOI-техпроцесс IBM, технологические откровения IMEC, GlobalFoundries, Samsung, Marvell и многих других лидеров рынка электроники. Пока же у нас есть только повестка конференции, самые интересные моменты которой вкратце обрисовали журналисты сайта EE Times.

Кое о чём мы уже сообщали. К примеру, мы уже рассказали о самовосстанавливающейся флэш-памяти компании Macronix. Если последняя сможет довести свою разработку до коммерческого производства, это обещает нам дать практически вечную NAND-флэш, выдерживающую свыше 100 млн. циклов перезаписи. Кроме "реанимации" старой памяти будет предложено кое-что поновее. Так, компания Everspin Technologies — один из заметных производителей магниторезистивной памяти MRAM — расскажет об успехах в деле продвижения новых вариаций технологии в виде 64-Мбит ST-MRAM микросхем.

реклама

Память ST-MRAM интересна тем, что намагниченность информационного слоя в ячейках происходит не с помощью обычной электротоковой намагниченности, а с использованием спин-поляризованного туннельного тока. Проще говоря, намагниченность передаётся состоянием электронов (с помощью передачи момента спина электрона). Вся эта абракадабра сводится к тому, что ячейку ST-MRAM удаётся сделать всё меньше и меньше. Текущие ёмкости, хит сезона — 64 Мбит, для широкого внедрения неинтересны, а ведь скорости работы у MRAM такие, что DRAM- и SRAM-память умрут от зависти. Но ведь магниторезистивная память ещё и энергонезависимая, что особым образом подчёркивает её ценность.

В эту же сторону смотрит и японская компания Toshiba. Она предлагает заменить память SRAM-типа, токи утечки которой по мере снижения масштаба техпроцесса растут впечатляющими темпами, на MRAM с перпендикулярной записью (p-MTJ). Это та же магниторезистивная память, только использующая не продольную намагниченность, а перпендикулярную. Точно таким же путём шли производители жёстких дисков. Собственно, процессы записи/чтения в ячейке MRAM ничем фундаментальным не отличаются от записи на магнитные "блины" жёстких дисков.

Ещё одну перспективную память предлагают использовать учёные из южнокорейского института Науки и Технологии. Это резистивная память RRAM или мемристор, как её назвали в компании HP. Но речь не о самой памяти, а о её применении. В разработке корейцев память RRAM служит аналогом синапсов головного мозга — местом соединения и преобразования информации для передачи между нейронами. Ячейки RRAM соединены с сенсором изображения, а вся конструкция служит для изучения искусственного интеллекта в опытах с распознаванием образов.

Компания IBM, помимо сообщений о 22-нм техпроцессе, покажет тончайшую в мире гибкую кремниевую пластину на пластиковой основе. Причём с рабочими элементами — SRAM-памятью и с кольцевым генератором. Толщина подложки с микросхемами составит всего 60 ангстрем (6 нм). Для получения столь тонких подложек в IBM разработали техпроцесс, позволяющий скалывать горизонтальные слои пластины при комнатной температуре. После скалывания каждый слой перемещался на гибкую пластиковую ленту, которая придавала ему прочность. Ждём других сообщений с IEDM, уверены, они нас не разочаруют.

Показать комментарии (9)

Сейчас обсуждают