Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Алексей Сычёв
Номинальное напряжение 1.65 В и объём 4 х 4 Гб.

реклама

Производители модулей оперативной памяти любят использовать отраслевые выставки для демонстрации своих достижений в повышении рабочих частот, реже на таких мероприятиях демонстрируются новые разработки в сфере охлаждения памяти. Компания G.Skill не стала исключением, и на CeBIT 2012 продемонстрировала работу четырёхканального набора памяти (4 х 4 Гб) в режиме DDR3-2666 при значении таймингов 10-12-12-31 и номинальном напряжении 1.65 В.

реклама

В ходе эксперимента были задействованы материнская плата Asus ROG Rampage IV Extreme на базе чипсета Intel X79, процессор Core i7-3960X и процессорный кулер производства Thermaltake.

Попутно был продемонстрирован разгон четырёхканального комплекта памяти идентичного объёма до режимов DDR3-2400 (11-11-11-30) и DDR3-2400 (9-11-11-31) в материнских платах Biostar и Gigabyte на базе чипсета Intel X79. В этом случае использовались процессор Core i7-3930K и процессорный кулер Xigmatek.

Показать комментарии (15)

Популярные статьи

Сейчас обсуждают