Информационный блог Engadget сообщил своим посетителям о результатах совместных исследований специалистов из Университета Пенсильвании и представителей компании IQE, которая специализируется на производстве полупроводников. Плодом их труда стала разработка транзистора, который отличается пониженным на 70% энергопотреблением, если проводить сравнение с повсеместно распространёнными транзисторами MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistors).

Переключение такого транзистора может происходить при напряжении в 300 милливольт и даже ниже. Это может обеспечить существенную экономию электричества, если задействовать данную технологию в производстве микроэлектроники. Достичь таких результатов удалось благодаря применению двух разных полупроводниковых материалов на основе арсенида галлия. Согласно информации, опубликованной на сайте Physorg, первые микросхемы, в которых будут использоваться данные транзисторы, появятся при переходе полупроводниковой индустрии на 7нм техпроцесс.