Модули памяти объёмом 8 Гб получат распространение в следующем полугодии
Ещё до анонса процессоров Sandy Bridge в исполнении LGA 1155 компания MSI проболталась об их способности работать с модулями памяти типа DDR3 объёмом до 8 Гб включительно. Типовая настольная система с двухканальным доступом в этой конфигурации могла получить в совокупности 32 Гб памяти. Проблема заключалась в том, что производители микросхем памяти типа DDR3 просто не выпускали чипов достаточной плотности в приемлемых количествах, чтобы создавать модули памяти объёмом 8 Гб.
реклама
Как сообщает сайт ComputerBase.de со ссылкой на комментарии представителей Micron/Crucial, к концу июля в продажу начнут поступать модули памяти типа DDR3-1600 и DDR3-1333 объёмом 8 Гб, работающие при номинальном напряжении 1.35 В. В настольной системе с двухканальным доступом объём памяти можно будет увеличить до 32 Гб, в большинстве мобильных – до 16 Гб. Производством микросхем памяти плотностью четыре гигабита компания Micron займётся уже в текущем месяце.
Выход на рынок таких модулей памяти будет своевременным, поскольку в четвёртом квартале Intel представит процессоры в исполнении LGA 2011, которые будут использовать четырёхканальную память, и большинство плат на базе чипсета Intel X79 будет оснащаться четырьмя слотами DIMM. Энтузиасты наверняка захотят увеличить объём оперативной памяти до предела, а новые модули DDR3 объёмом 8 Гб позволят довести этот показатель до 32 Гб.
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Комментарии Правила