Модули памяти объёмом 8 Гб получат распространение в следующем полугодии

Ещё до анонса процессоров Sandy Bridge в исполнении LGA 1155 компания MSI проболталась об их способности работать с модулями памяти типа DDR3 объёмом до 8 Гб включительно. Типовая настольная система с двухканальным доступом в этой конфигурации могла получить в совокупности 32 Гб памяти. Проблема заключалась в том, что производители микросхем памяти типа DDR3 просто не выпускали чипов достаточной плотности в приемлемых количествах, чтобы создавать модули памяти объёмом 8 Гб.

Как сообщает сайт ComputerBase.de со ссылкой на комментарии представителей Micron/Crucial, к концу июля в продажу начнут поступать модули памяти типа DDR3-1600 и DDR3-1333 объёмом 8 Гб, работающие при номинальном напряжении 1.35 В. В настольной системе с двухканальным доступом объём памяти можно будет увеличить до 32 Гб, в большинстве мобильных – до 16 Гб. Производством микросхем памяти плотностью четыре гигабита компания Micron займётся уже в текущем месяце.

Выход на рынок таких модулей памяти будет своевременным, поскольку в четвёртом квартале Intel представит процессоры в исполнении LGA 2011, которые будут использовать четырёхканальную память, и большинство плат на базе чипсета Intel X79 будет оснащаться четырьмя слотами DIMM. Энтузиасты наверняка захотят увеличить объём оперативной памяти до предела, а новые модули DDR3 объёмом 8 Гб позволят довести этот показатель до 32 Гб.