В следующем году TSMC начнёт приобретать оборудование для EUV-литографии

Разговоры о предстоящем переходе на использование литографического оборудования со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) ведутся давно, но производителям микросхем до сих пор удавалось отложить начало миграции за счёт различных ухищрений. Globalfoundries, например, начнёт использовать лазеры со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением только в рамках техпроцессов с нормами менее 20 нм. Intel собирается в 2013 году освоить иммерсионную литографию и 15 нм техпроцесс, а EUV-технология начнёт применяться на фабриках процессорного гиганта только в рамках 11 нм норм.

Как сообщает сайт DigiTimes со ссылкой на главу подразделения НИОКР компании TSMC, этот контрактный производитель получит первое литографическое оборудование с поддержкой технологии сверхжёсткого ультрафиолетового излучения в 2011 году. Данная технология будет внедрена не ранее 2013 года, когда будет освоено производство микросхем по 20 нм нормам. Оборудование производства ASML позволит обрабатывать до 100 кремниевых пластин в час. Компания TSMC начнёт выпуск первой 20 нм продукции во второй половине 2012 года на фабрике Fab 12, способной обрабатывать кремниевые пластины диаметра 300 мм. От промежуточной ступени в виде 22 нм техпроцесса решено было отказаться.