реклама
Компания Samsung сегодня сообщила, что начала поставки образцов регистровых модулей памяти типа DDR3-1066 объёмом 35 Гб, использующих 40 нм память. Каждый модуль состоит из 36 двухчиповых микросхем плотностью 4 гигабита. Новые модули памяти позволяют увеличить объём оперативной памяти со 192 до 384 Гб, обеспечивая прирост энергопотребления только на 5% по сравнению с системой, оснащённой 16 Гб модулями.
реклама
Модули памяти типа DDR3-1066 работают при номинальном напряжении 1.35 В. В четырёхпроцессорных системах объём памяти с их помощью можно довести до 2 терабайт. Массовое производство соответствующих модулей памяти начнётся в апреле этого года.
Сейчас обсуждают