Компания Samsung вчера сообщила, что начала массовое производство микросхем памяти типа GDDR-5 по 50 нм технологии. Эффективность производства увеличится на 100% по сравнению с 60 нм технологией. Номинальное напряжение памяти типа GDDR-5 равно 1.35 В.

Память типа GDDR-5 может работать на частотах до 7.0 ГГц QDR, но в ассортименте продукции Samsung пока есть только микросхемы с частотой 5.0 ГГц QDR. Компания Samsung рассчитывает, что в 2009 году память типа GDDR-5 займёт более 20% рынка графической памяти. Samsung собирается перевести на 50 нм технологию графическую память других типов.
Сейчас обсуждают