Периодически на страницах профильных сайтов появляются новости об освоении ведущими производителями микросхем очередных технологий, облегчающих выпуск изделий с более плотным размещением элементов на кристалле. Регулярно возникает вопрос о преодолении рубежа, за которым необходимо будет менять существующие литографические технологии. Например, переходить от литографии с использованием глубокого ультрафиолета (DUV) с длиной волны 193 нм к литографии с использованием сверхжёсткого ультрафиолета (EUV) с длиной волны 13,5 нм.

Как сообщает сайт TG Daily , учёным из знаменитого Массачусетского Технологического Института удалось продлить жизненный цикл используемой с середины девяностых годов литографической технологии, опирающейся на глубокий ультрафиолет с длиной волны 193 нм. Применение интерференционной литографии позволило разработчикам создать на существующем оборудовании элементы с линейным размером, соответствующим 25 нм технологии. До начала применения этого метода в серийных масштабах предстоит решить некоторые проблемы с используемыми материалами, но эта задача представляется авторам посильной.

Интерференционная литография, однако, имеет свои ограничения. С её помощью, например, нельзя создавать микросхемы с соседствующими блоками разной формы. Тем не менее, для производства микросхем памяти, элементов солнечных батарей и некоторых других устройств данный метод вполне пригоден. По оценкам IBM и Intel, переход на EUV-технологию намечен на 2013 год, когда микросхемы будут выпускаться по 16 нм нормам.