Проходящую в эти дни осеннюю сессию IDF представители Intel используют не только для демонстрации образцов будущих CPU. Также, компания отчиталась и о внедрении новых технологических процессов, уверяя общественность как в том, что никаких трудностей с массовым выпуском 45 нм процессоров нет и быть не может, так и в плановом внедрении следующей технологии с нормами производства 32 нм. В подтверждение слов об отсутствии трудностей с 32 нм процессом Пол Отеллини продемонстрировал образцы полупроводниковых устройств, изготовленных по этой технологии.

Демонстрация имела традиционный характер: была показана 300 мм полупроводниковая пластина с чипами SRAM, изготовленными по 32 нм технологии, использующей транзисторы с диэлектриком на основе гафния с высоким значением диэлектрической проницаемости и металлический затвор. То есть, фактически, можно говорить о том, что показанные чипы памяти стали первыми в индустрии рабочими 32 нм устройствами. Тем не менее, напомним, подобные чипы SRAM, выполненные по новым технологическим нормам, Intel всегда показывает примерно за год до начала опытного производства CPU. Кстати, согласно существующим планам, поставки первых 32 нм процессоров должны будет начаться во второй половине 2009 года.

Что же касается характеристик показанных 32 нм чипов SRAM, то они содержали более 1.9 млрд. транзисторов каждый и имели ёмкость 291 Мбит.

Технологический процесс с нормами производства 32 нм будет использоваться Intel для производства выходящей в 2009 году усовершенствованной версии Nehalem, известной под кодовым именем Westmere. Кроме того, запланированный на 2010 год процессор Sandy Bridge с новой микроархитектурой также планируется выпускать с использованием 32 нм технологии.