Недавно на горизонте появился ещё один претендент на использование технологии Z-RAM. Как сообщает сайт TG Daily, им стала компания Hynix Semiconductor, являющаяся крупным производителем оперативной памяти. Разработчик технологии Z-RAM, компания Innovative Silicon, будет на протяжении последующих двух лет помогать Hynix разработать продукты, совместимые с сегодняшними конструктивными исполнениями, присущими памяти типа DRAM.
Hynix уже целый год присматривается к технологии Z-RAM, и проявляет серьёзный интерес к этому ноу-хау. От момента лицензирования до внедрения технологии в массовых продуктах обычно проходит три года. Стало быть, к 2010-2011 годам мы можем увидеть первые продукты, созданные с помощью технологии Z-RAM.
По сравнению с памятью типа SRAM, память типа Z-RAM обладает в пять раз большей плотностью. По сравнению с DRAM этот показатель у Z-RAM выше в два раза. Z-RAM может потреблять то же количество электроэнергии, что и DRAM, но при этом быть быстрее и компактнее в размерах. Сейчас образцы Z-RAM могут работать на частоте 500 МГц - это не так много, но при равной площади память типа Z-RAM может иметь в пять раз больший объём.
Z-RAM требует в производстве более простого оборудования и более простых технологических процессов по сравнению с DRAM. Производить Z-RAM можно только с использованием технологии SOI. Предполагается, что память типа Z-RAM найдёт применение в модулях оперативной памяти, процессорах и продуктах с высокой степенью интеграции. Нельзя исключать, что последними могут быть и гибридные процессоры класса Fusion.
