На данный момент ясно, что ни Intel, ни AMD не отказываются от идеи увеличения объёма кэш-памяти своих 45 нм процессоров. Процессоры Intel поколения Nehalem могут обзавестись 12 Мб кэша второго уровня, а процессоры AMD поколения Shanghai получат 6 Мб кэша третьего уровня. При этом данные процессоры должны продолжить использование ячеек памяти типа SRAM, хотя обе компании присматриваются к альтернативам: Intel изучает технологию памяти FBC, а компания AMD лицензировала технологию Z-RAM.

Как сообщает сайт News.com, компания IBM рассматривает возможность использования ячеек памяти типа eDRAM (Embedded DRAM) для создания кэша своих процессоров. По оценкам представителей компании, переход на использование eDRAM позволит увеличить объём кэша в три раза, а производительность процессоров поднимется в два раза. По сравнению с памятью типа SRAM, память типа eDRAM обладает большей плотностью и меньше страдает от токов утечки. Проблема заключается в том, что "поженить" eDRAM и используемую сейчас для производства процессоров технологию SOI не так просто. Однако, специалисты IBM выражают уверенность в возможности объединения этих ноу-хау.

Ожидается, что применить eDRAM для создания кэш-памяти процессоров IBM сможет уже в 2008 году, когда будет освоено производство 45 нм процессоров. Если текущее поколение процессоров IBM имеет 8 Мб кэш-памяти, то следующее может получить от 24 до 48 Мб кэша. Надо сказать, что IBM выпускает серверные процессоры, и поэтому сложно прогнозировать, каким объёмом кэша могли бы обладать настольные процессоры с использованием eDRAM.

Известно, что IBM является технологическим донором AMD, однако представители последней отказались давать комментарии по поводу перспектив использования eDRAM в своих процессорах. Пока AMD больше симпатизирует технологии Z-RAM. Время покажет, какое из решений окажется более жизнеспособным с точки зрения AMD.