реклама
Вчера компания Intel заявила о получении первых рабочих образцов памяти SRAM, выполненных по 0.045 мкм технологии. Чип содержит 1 миллиард транзисторов и имеет площадь 119 кв.мм. Новый техпроцесс позволит Intel снизить токи утечки в пять раз по сравнению с 0.065 мкм техпроцессом. Это должно привести к снижению энергопотребления и повышению производительности микрочипов. При прочих равных условиях 0.045 мкм микросхема демонстрирует на 20% более высокую скорость переключения транзисторов. Между тем, изменения в уровне быстродействия реальных процессоров будут зависеть от целой группы факторов.
Высокие значения токов утечки в своё время стали серьёзной проблемой для 0.09 мкм процессоров Prescott - они имели ограниченный частотный потенциал и сильно нагревались. На устранение этих проблем потребовалось немало времени, но именно они подтолкнули Intel к отказу от использования архитектуры NetBurst.
реклама
Ожидается, что производство 0.045 мкм процессоров будет запущено во второй половине 2007 года. Первой фабрикой, освоившей 0.045 мкм техпроцесс в серийных масштабах, станет Fab 32 в Аризоне - это произойдёт во второй половине 2007 года. Fab 28 в Израиле приступит к производству 0.045 мкм процессоров во второй половине 2008 года. Скорее всего, эти процессоры будут иметь схожую с Conroe архитектуру, а потому улучшение экономичности в сфере энергопотребления лишь улучшит соотношение производительности и TDP.
Попутно вчера компания Intel отчиталась о факте поставки свыше одного миллиона 0.065 мкм процессоров. Напомним, что к этому семейству следует относить настольные процессоры CedarMill и Presler, а также мобильные Yonah. Фактические поставки начались ещё в прошлом году, но только в текущем месяце 0.065 мкм процессоры Intel появились в розничной продаже. В третьем квартале этого года доля 0.065 мкм процессоров превысит 50%, поставки 0.09 мкм процессоров будут сворачиваться.
Сейчас обсуждают