Компания Samsung уже заявила в конце октября о начале поставок 256-мегабитных чипов памяти GDDR-4 со временем выборки 0.8 нс. Подобная память может работать на частотах до 2.5 ГГц DDR, она имеет исполнение BGA 136. Это позволяет устанавливать её на видеокарты серии Radeon X1800 XT, ибо графический чип R520 уже готов к поддержке этого типа памяти, а по разводке она совместима с нынешней GDDR-3 в исполнении BGA 136. Однако, серийные видеокарты на базе GDDR-4 наверняка появятся не ранее середины 2006 года, когда выйдут чипы R580 и G80.

Компания Hynix решила не отставать от второго корейского производителя памяти, и тоже заявила о начале поставок образцов 512-мегабитных чипов GDDR-4 со временем выборки 0.7 нс.

Таким образом, Hynix превзошла конкурента по двум позициям: плотности чипов памяти и времени выборки. Более плотные 512-мегабитные чипы позволяют разместить заданный объём памяти на видеокарте, обойдясь меньшим числом чипов. Более низкое время выборки позволяет памяти Hynix работать на частотах до 2.8 ГГц DDR. Впрочем, Samsung тоже представит подобную память в 2006 году, так что в этом плане первенство Hynix не отличается постоянством. В следующем году Hynix не только освоит массовое производство 0.7 нс памяти, но и предложит более быструю память со временем выборки менее 0.6 нс.

Hynix подчёркивает, что память типа GDDR-4 идеально подходит для использования в 64-битных операционных системах. Возможно, первыми такую память примерят графические адаптеры профессионального класса. По сравнению с GDDR-3, новый тип памяти способен передавать почти в два раза больше информации в единицу времени. Например, анонсируемые Hynix чипы со временем выборки 0.7 нс способны обеспечить пропускную способность 11.6 Гб/с.

Ведущие производители видеочипов уже должны получать образцы GDDR-4 производства Hynix. Массовые поставки начнутся в первой половине 2006 года. Если учесть, что GDDR-3 практически исчерпала свой потенциал наращивания производительности при сохранении экономически оправданной цены, флагманские игровые видеокарты следующего поколения наверняка воспользуются памятью GDDR-4.