реклама
Многие производители уже признают, что для увеличения плотности размещения транзисторов в микросхемах придется переходить на использование новых материалов. Например, IBM ратует за использование "растянутого германия", причем период востребованности этой технологии продлевает до 0.032 мкм техпроцесса, первые изделия на основе которого ожидаются в 2011-2012 годах.
Как сообщает сайт News.com, компания HP разработала принципиально новый подход к изготовлению полупроводниковых устройств, позволяющий обойти существующие в рамках "кремниевых" технологий ограничения. Предлагается перейти от использования кремниевых транзисторов к микроскопическим проводникам, соединяемым молекулами.
реклама
Перекрестные триггеры-защелки будут работать по тому же алгоритму, который сегодня используют кремниевые транзисторы. Используются три элемента: два управляющих проводника и один триггер-защелка. Электрический импульс открывает переход между одним из управляющих переходников и защелкой, что интерпретируется, как состояние "0". Аналогичное состояние для другого управляющего проводника интерпретируется, как "1".
Самое интересное, что величина переходного элемента не превышает двух нанометров, в то время как сейчас аналогичный транзистор, выполненный по 0.09 мкм технологии, имеет размер переходного элемента не менее 60 нанометров. Теоретически, в подобный объем можно "запихнуть" порядка тридцати аналогичных "транзисторов", если перейти на использование перекрестных триггеров-защелок. Предполагается, что по достижении размера транзистора в 15 нанометров использовать кремний уже будет невозможно.
Проблема пока заключается в том, что сейчас образцы "защелок" работают слишком медленно - время переключения измеряется десятыми долями секунды. Со временем технология будет усовершенствована, в этом можно не сомневаться.
Важно, что себестоимость производства микросхем на триггерах-защелках будет достаточно низкой. Техпроцесс производства микросхем будет в чем-то напоминать печать на струйном принтере, и от сложных литографических технологий удастся отказаться.
Очевидно, пока промышленность может довольствоваться традиционными кремниевыми транзисторами, и внедрение описанной технологии ждет нас даже не в текущем десятилетии. Между тем, работа над созданием альтернативных технологий должна вестись уже сейчас, чтобы к моменту достижения "технологического барьера" перейти на новый уровень без замедления и проблем. Кто знает, может в будущем десятилетии главенствующим материалом в полупроводниковой промышленности станет отнюдь не кремний, и названия типа "Кремниевая Долина" устареют и утратят актуальность. Предполагается, что отказ от использования кремния будет иметь место в двадцатых годах этого столетия, если не раньше.
Сейчас обсуждают