Компания Samsung Electronics решила опередить конкурентов в сфере изменения пространственной структуры транзисторов, предложив так называемую GAA-компоновку с окружающим затвором уже в рамках 3-нм технологии, хотя конкурирующая TSMC с целью снижения риска осложнений решила внедрять 3-нм литографию совместно с традиционной FinFET-компоновкой транзисторов.

Как отмечают аналитики DigiTimes Research, корейский производитель вряд ли освоит массовый выпуск 3-нм изделий с технологией GAA ранее 2023 года, а потому лавры «первопроходца» в освоении одноимённых литографических норм в очередной раз достанутся компании TSMC, которая рассчитывает наладить выпуск 3-нм изделий уже во второй половине 2022 года.

Согласно новому плану компании Intel, она свой сопоставимый по геометрическим характеристикам техпроцесс освоит не ранее второй половины 2023 года, но тоже будет использовать FinFET-транзисторы в сочетании с EUV-литографией. Шаг в направлении GAA компания будет готова сделать лишь в 2024 году, когда освоит техпроцесс Intel 20A. К середине десятилетия компания рассчитывает внедрить ещё более сложную структуру транзисторов RibbonFET, уже в рамках техпроцесса 18A.