Пока Samsung Electronics грезит статусом лидера рынка контрактного производства полупроводниковых компонентов, отставание от TSMC она готова компенсировать усиленными инвестициями. Если тайваньский конкурент готов потратить на расширение производства и освоение новых технологий в 2021 году не менее $28 млрд, то Samsung Electronics поднимает планку до $30 млрд, хотя основная часть этой суммы и достанется собственному производству микросхем памяти, а не контрактным мощностям.

Как отмечает Bloomberg со ссылкой на собственные источники, в этом году Samsung Electronics может решиться на строительство нового предприятия в штате Техас по соседству с уже имеющимся, но в следующем году оно получит современное оборудование для работы с EUV-литографией, что позволит южнокорейской компании к 2023 году предложить клиентам 3-нм изделия с пометкой «сделано в США».

На строительство нового предприятия Samsung готова потратить $10 млрд, как минимум. Проект соревнуется по амбициозности с инициативой TSMC по строительству предприятия в Аризоне, которое при бюджете в $12 млрд рассчитывает к 2024 году начать выпуск 5-нм продукции для американских заказчиков. Samsung пытается обойти конкурента как по срокам, так и по литографической технологии, предложив 3-нм изделия уже в 2023 году. Представители Samsung комментировать ситуацию готовы лишь фразами о том, что ничего ещё не решено окончательно.