Компания Samsung заключила крупный контракт на поставку памяти HBM3E компании AMD на сумму 3 миллиарда долларов. Это соглашение имеет стратегическое значение для обеих компаний, поскольку позволит Samsung укрепить свои позиции на рынке высокопроизводительной памяти, а AMD - обеспечить себя передовыми решениями для своих будущих продуктов в сфере искусственного интеллекта.

Память HBM3E представляет собой 12-слойную 3D-память на основе технологии DRAM. Она обеспечивает пропускную способность до 10 Тб/с на систему и до 5 Тб/с на чип при объеме памяти до 141 Гб. Это на 50% выше, чем у предыдущего поколения HBM3. Благодаря таким характеристикам, HBM3E идеально подходит для высокопроизводительных вычислений, в частности в сфере искусственного интеллекта.

Первым продуктом AMD, который будет оснащен этой памятью, скорее всего станет ускоритель Instinct MI350 на базе архитектуры CDNA 3. Он будет изготовлен по 4-нм техпроцессу TSMC и ориентирован на задачи машинного обучения и анализа больших данных. Благодаря HBM3E, MI350 сможет демонстрировать рекордную производительность.

Стратегическое партнерство Samsung и AMD выгодно для обеих компаний. Samsung получает крупного стабильного клиента и может наращивать производство передовой памяти, а AMD решает вопрос снабжения компонентами для своих будущих продуктов. При этом компания также будет приобретать графические процессоры Samsung в обмен на поставки HBM3E, хотя объемы пока не разглашаются.