☰
︎

Новая память Colorful iGame DDR5 обеспечивает скорость до 8000 MT/s и рекордно низкую задержку

iGame DDR5 включает в себя различные конфигурации, начиная с базовой скорости в 6000 MT/s, а с помощью ручного разгона и включенной технологии AMD EXPO, скорость может быть увеличена до 6400 MT/s, сохраняя ту же латентность.
19 декабря 2024, четверг 19:38
worldnews для раздела Блоги

Текст опубликован в личном блоге и его автор не имеет отношения к администрации сайта

                                                         Источник изображения: Colorful

Компания Colorful вводит на рынок новую линейку оперативной памяти iGame DDR5, предназначенную специально для платформы AMD. Эта память выделяется возможностью работы на частоте 6400 MT/s с рекордно низкой задержкой CL28, а также потенциалом для повышения до 8000 MT/s с латентностью CL40, что делает новинку особенно привлекательной для геймеров, предпочитающих системы на базе процессоров AMD.

Вопреки распространенному мнению о сложностях достижения высоких скоростей памяти свыше 6000 MT/s на платформе AM5, модули iGame DDR5 нацелены на преодоление этого барьера, поддерживая до 8000 MT/s. Хотя на такой частоте латентность повышается до CL40, для тех, кто ищет компромисс между объемом и скоростью, доступны модули на 24 ГБ.

Цена на новые модули памяти не так высока. На китайской торговой площадке JD.com набор iGame DDR5 CL28 предлагается примерно за $118, что считается хорошим предложением для памяти с такими характеристиками и может сделать высокопроизводительную DDR5 память более доступной для широкого круга пользователей, хотя информация о глобальной доступности пока остается неопределённой.

Наборы памяти от Colorful с объемом 16 ГБ, работающие на частоте 6000 MT/s, доступны в комплектах по два модуля и способны разгоняться до 6800 MT/s при латентности CL32. Эти модули используют чипы SK Hynix A-Die и оснащены неламинированными тепловыми прокладками для улучшения теплоотвода, что, вероятно, указывает на дополнительное внимание производителя к стабильности и производительности при высоких нагрузках.