Текст опубликован в личном блоге и его автор не имеет отношения к администрации сайта
Источник изображения: Tyler Daviaux/Unsplash
Исследователи из Университета штата Мичиган разработали новый тип памяти, который может функционировать при экстремально высоких температурах, вплоть до более 600 градусов Цельсия. Этот показатель, как пишет Tom's Hardware, значительно превышает возможности традиционной памяти DDR, которая теряет стабильность уже при температуре около 100 градусов Цельсия из-за риска потери данных и необходимости в охлаждении.
Инновационная память использует принципы, схожие с работой батарей, для хранения данных в условиях высоких температур. Суть технологии заключается в перемещении отрицательно заряженных атомов кислорода между слоями полупроводника оксида тантала и металлического тантала через твердый электролит, который действует как барьер, предотвращая хаотичное перемещение атомов.
Перемещение атомов кислорода контролируется тремя платиновыми электродами, которые определяют, когда и куда перемещается каждый атом, что позволяет изменять данные. Этот процесс напоминает зарядку и разрядку батареи, где электроды управляют потоком атомов в оксид тантала или из него.
Содержание кислорода в оксиде тантала меняет его электрические свойства, позволяя ему выступать в роли изолятора или проводника, что соответствует цифровому 0 или 1. Таким образом, материал может переключаться между двумя различными состояниями напряжения, что является основой для хранения данных.
Эта экзотическая архитектура DDR представляет собой радикальное отклонение от традиционных технологий, основанных на перемещении электронов, которые чувствительны к повышению температуры. В отличие от них, память на атомах кислорода не страдает от температурных ограничений, что делает ее идеальной для применения в экстремальных условиях. Ученые отмечают, что для запуска такой памяти может потребоваться предварительный подогрев, подобно тому, как работают двигатели внутреннего сгорания. Интересно, что эта технология также обещает быть более энергоэффективной по сравнению с другими альтернативами, такими как ферроэлектрическая память или нано-щели с платиновыми электродами.