Компания SK Hynix начала массовое производство флэш-памяти QLC NAND с ёмкостью 2 Тбит (256 ГБ) на кристалл, сообщает ComputerBase. Это 321-слойные кристаллы с 6-плоскостной структурой. Большее количество плоскостей даёт возможность совершать большее количество параллельных обращений, следовательно, расчёт производительность.
SK Hynix стал третьим производителем NAND-памяти, увеличившим ёмкость кристалла до 2 Тбит. В 2024 году это сделали Kioxia и Western Digital (ныне SanDisk), а затем, в 2025 году, Micron.
По сравнению с предыдущей 4-плоскостной версией QLC NAND, производительность записи, как утверждается, увеличилась на 56%, а чтения — на 18%. SK Hynix также заявляет об удвоении скорости передачи данных, что, вероятно, относится к интерфейсу ввода-вывода. Однако конкретных данных не приводится. Энергоэффективность на операциях записи увеличилась примерно на 23%.
Как ожидается, устройства с новой QLC NAND памятью SK Hynix появятся на рынке в первой половине 2026 года. В первую очередь эти микросхемы памяти будут использоваться в твердотельных накопителях для ПК, затем их станут применять в твердотельных накопителях корпоративного класса и смартфонах. Благодаря фирменной технологии стекирования 32DP3 компания SK Hynix может разместить до 32 кристаллов в одном корпусе, т.е. 8 ТБ памяти.