В рамках специального мероприятия CFMS 2023 производители флэш-памяти обсудили текущее положение дел на рынке и поведали свои планы на будущее: в числе участников данного саммита были и представители Samsung, рассказавшие о замыслах и разрабатываемых технологиях компании, а также о сложностях, с которыми приходится сталкиваться в процессе исследований и производства, сообщает ресурс Wccftech.

Источник изображения: Wccftech

По словам Кьюнгрюна Кима (Kyungryun Kim), занимающего пост вице-президента и генерального директора группы планирования продуктов NAND в компании Samsung Electronics, технологически объём твердотельных накопителей может достигнуть значения в 1 Пбайт, то есть 1024 Тбайт, однако с учётом существующих стандартов компания добьётся подобных показателей не ранее, чем через десять лет, то есть лишь в следующем десятилетии.

При этом специалисты Samsung не только стараются сделать текущие продукты доступнее для рядового потребителя, в том числе работая над новыми поколениями контроллеров для устройств с флеш-памятью 3D NAND с четырьмя битами на ячейку, но и исследуя возможности увеличения количества битов, хранящихся в одной ячейке, что сопряжено с целым рядом трудностей.

Впрочем, специалисты Samsung не одиноки в своих исследованиях: например, компания Kioxia ещё в 2019 году явила миру флеш-память 3D NAND с пятью битами на ячейку, спустя два года увеличила данное значение до шести, а в настоящее время исследует возможность хранить восемь бит в одной ячейке.