В последние годы правительство Китая вкладывает миллиарды долларов в отечественную индустрию памяти. Несмотря на значительные успехи китайским производителям DRAM предстоит решить множество сложных задач, прежде чем они смогут составить конкуренцию таким компаниям, как Samsung, SK Hynix и Micron. Как сообщает China Securities Journal, китайская государственная компания ChangXin Memory Technologies начала массовое производство чипов DRAM-памяти.
Для того чтобы понять, как китайской ChangXin Memory Technologies удалось за кратчайший срок преодолеть огромный разрыв, разделявший китайских производителей полупроводников и известные бренды, нужно знать, какие суммы тратит государство на поддержку и развитие полупроводниковой отрасли внутри страны. Так, за последние годы правительство инвестировало около 21 миллиардов долларов в проект DRAM-памяти, не считая 2.5 миллиардов долларов, вложенных в исследования и разработки.
Несмотря на то, что ChangXin Memory Technologies использует собственный 18 нм техпроцесс, а главные конкуренты уже перешли на 16 и 12 нм технологии, китайскому бренду есть чем ответить. Для начала нужно учитывать, что ChangXin Memory Technologies не использует американских технологий и комплектующих в производстве памяти, кроме того, компания имеет значительные льготы от правительства. Все это может стать для китайской компании отличным стартом, позволив ворваться на рынок, 95% которого занимают указанные выше компании.