Компания Micron опередила всех своих конкурентов и начала поставки флеш-памяти TLC NAND 9-го поколения для твердотельных накопителей, первым из которых стала модель 2650. Поскольку искусственный интеллект становится всё популярнее, объём хранилищ для него необходимо увеличивать.

NAND G9 является значительным шагом вперёд с повышенной плотностью хранения данных, улучшенным управлением питанием и увеличением скорости доступа. Передача данных осуществляется на скорости 3,6 ГБ/с, что является рекордом для памяти типа TLC NAND. Производитель говорит о преимуществах в 50% при передаче данных по сравнению с любым другим видом NAND в современных твердотельных накопителях.

Пропускная способность записи на чип NAND G9 на 99% превосходит конкурирующие предложения, а пропускная способность чтения на чип — на 88%. Это позволит лучше справляться с современными ресурсоёмкими задачами вроде искусственного интеллекта и машинного обучения.

При этом память сохранила компактные размеры 11,5 x 13,5 мм, что на 28% меньше по сравнению с другими предложениями. Чтобы показать возможности этой флеш-памяти, был представлен потребительский SSD 2650 NVMe. Он стал первым накопителем компании с применением 276-слойной 3D NAND. Накопитель предлагается в формате M.2 в размерах 2230, 2242 и 2280 с объёмом от 256 ГБ до 1 ТБ.

Результаты тестирования выдали 3861 балл в PCMark 10, что даёт преимущество в 38%. Последовательная скорость чтения данных достигает 7000 МБ/с, чтение случайных блоков данных выросло на 156%, скорость последовательной записи выше на 103%, а запись случайных блоков данных на 85%. Это позволяет ближе подойти к теоретическим скоростям стандарта PCIe Gen4.

Кроме того, производитель недавно представил SSD 9550 Gen5, который является самым быстрым накопителем для дата-центров. Скорость последовательного чтения здесь достигает 14 ГБ/с, а записи — 10 ГБ/с. При этом применяется 8-е поколение памяти NAND с 232 слоями.