Решив проблемы с производительностью чипов памяти HBM3E, южнокорейская компания Samsung начала успешную работу над чипами следующего поколения. Несколько месяцев назад она начала поставки чипов высокоскоростной памяти шестого поколения HBM4 компаниям вроде AMD и Nvidia, работающим в сфере искусственного интеллекта. Теперь настала очередь поставок образцов чипов высокоскоростной памяти седьмого поколения HBM4E.
Данные чипы имеют 12-слойную структуру и дают прирост производительности на 20% и энергоэффективности на 16% по сравнению с HBM4. Samsung обещает скорость на контакт 14 Гбит/с с возможностью увеличения этого значения до 16 Гбит/с. Пропускная способность памяти в целом составляет 3,6 ТБ/с.
При производстве используется техпроцесс 10 нм DRAM от Samsung (1c) шестого поколения и базовый кристалл логики 4 нм от Samsung Foundry. За счёт более продвинутой конструкции и улучшения процессов инженеры говорят о росте процента выпуска годных чипов. Тепловое сопротивление стало лучше на 14%, что улучшает теплоотвод и надёжность работы.
Samsung намеревается выпускать чипы HBM4E вместимостью 48 ГБ с 12 слоями, что на 30% превосходит HBM4. В дальнейшем есть планы по выпуску вариантов 32 ГБ с 8 слоями и 64 ГБ с 16 слоями.