В последнее время так много внимания уделялось изучению памяти DDR3 производства Corsair, GeIL и G.Skill, что некоторые наши читатели даже стали забывать, с чего зародился оверклокинг (купить подешевле, разогнать, получить то же самое). Однако существуют и дешевые модули DDR3, которые с недавних пор продаются чуть ли не «на развес», по цене от 1000 рублей за 8 Гбайт.
Пора заполнить пробелы, протестировав те самые недорогие комплекты и выяснив, чего можно от них ожидать. Стоит ли вообще надеяться на хороший разгон? Героями нынешнего обзора станут четыре комплекта оперативной памяти, набранные одиночными планками объемом 4 Гбайта (по две в наборе) и выпущенные GoodRam, Silicon Power, Kingmax и Kingston. Штатные характеристики едины для всех – 1333 МГц CL9.
Для чистоты эксперимента (чтобы избежать специально отобранных «плашек») вся память была куплена в розничной сети. Помимо простого изучения частотного потенциала в конце статьи читателя ждёт небольшой тест производительности, позволяющий сравнить прирост от работы на повышенных частотах.
| Производитель | Объём, Мбайт | Рейтинг/частота | Тайминги | Напряжение, В | Цена, руб. |
| GoodRam |
2x4096 | DDR3-1333 / PC3-10600 | 9-9-9-24 | 1.5 | 1120 |
| Kingmax |
2x4096 | DDR3-1333 / PC3-10600 | 9-9-9-24 | 1.5 | 1280 |
| Silicon Power SP004GBLTU133V02 |
2x4096 | DDR3-1333 / PC3-10600 | 9-9-9-24 | 1.5 | 1300 |
| Kingston |
2x4096 | DDR3-1333 / PC3-10600 | 9-9-9-24 | 1.5 | 1520 |
В таблице указана цена, по которой модули памяти приобретались в магазине. В зависимости от региона цифры могут отличаться в обе стороны на каждый из комплектов, соответственно и выводы могут меняться на прямо противоположные.
Начнём в порядке возрастания цены, так что первым из рассматриваемых комплектов станет GoodRam.
Несмотря на относительно низкую цену, память упакована в пластиковые блистеры:
Из приведенной на них информации можно узнать разве что номинальную частоту модулей. Информации о номинальном напряжении питания нет, а вместо формулы таймингов можно увидеть простую запись CL9 – понятно, что подразумевается равенство tCL, tRCD и tRP, но могли бы это указать более явно.
Сами планки памяти ничем особенным не выделяются – радиаторов нет, 4 Гбайта набраны шестнадцатью микросхемами, по восемь с каждой стороны.
Они заботливо перемаркированы производителем памяти, поэтому не предоставляется возможным установить их реальное происхождение.
Не принес результатов и поиск по данной маркировке.
Память Kingmax упакована в блистеры немалого размера, причём упаковка, судя по всему, унифицирована для многих других комплектов DDR3 данного производителя, о чём говорит наличие нескольких маркировок для разного объёма и частоты работы памяти. Довольно весело выглядит надпись Windows 7 Ready, как будто может быть как-то иначе
На сей раз можно видеть более подробную информацию о продукте, чем в случае с GoodRam; списку характеристик отведена отдельная картонка, расположенная внутри блистеров:
Спецификации перечислены на нескольких языках, включая русский. Отмечу, что идёт перечисление характеристик для разных модулей. В моем случае речь идёт о 1333 МГц памяти, соответственно её штатной формулой таймингов является 9-9-9, а соответствующее напряжение питания составляет 1.5 В.
Сами модули похожи на оные у GoodRam, что не мудрено, ведь речь идёт об обычной двухсторонней DDR3 DIMM, без радиаторов и/или каких-либо фирменных особенностей:
Микросхемы перемаркированы, что не позволяет корректно установить «родословную».
На удивление, не самые дешевые в данном обзоре планки памяти обделены упаковкой. Это чистой воды OEM.
Поскупился производитель и на информацию, перечисленную на стикере, указав лишь следующее: частота работы - 1333 МГц, CL равно 9 и объём модуля – 4 Гбайта.
Зато микросхемы на сей раз оставлены в покое:
Применены микросхемы Elixir N2CB2G80BN-CG, в числе характеристик можно обнаружить частоту 1333 МГц, задержки 9-9-9 и напряжение питания 1.5+/-0.075 В.
Модули Kingston упакованы в обычные пластиковые блистеры:
Характеристики, приведенные на стикере – частота работы 1333 МГц, CL составляет 9, объём каждого модуля – 4 Гбайта.
Внутри блистера под планками памяти можно обнаружить лист бумаги, на котором с одной стороны на нескольких языках указаны гарантийные обязательства производителя, а на другой нашлось место краткой инструкции по установке.
Сами модули памяти, как уже можно было заметить на фотографиях выше, выполнены на низкопрофильной печатной плате:
Если разгон окажется не хуже, чем у других комплектов (особенно с учётом стоимости), то применение низкопрофильной печатной платы можно отнести к плюсам, поскольку высота плашек памяти не превышает высоты защёлок в слоте:
Используемые микросхемы памяти перемаркированы, как и у большинства участников тестирования.
Тестирование производилось на следующей конфигурации:
Программное обеспечение
Для изучения частотного потенциала памяти была выбрана платформа AM3 с процессором Phenom II, предел разгона памяти для которой в паре с используемой материнской платой ASUS M5A97 PRO находится у отметки в 2100 МГц, что для раскрытия потенциала бюджетной памяти более чем достаточно.
Проверка на разгон для каждого из комплектов производилась в диапазоне напряжений питания 1.3-1.8 В с шагом 0.1 В при линейном отклике на рост напряжения и с шагом 0.05 В при нелинейном. Соответственно, в первом случае точку с шагом 0.05 В принято среднее значение между двумя точками, а во втором - реально замеренный результат.
Мерилом стабильности достигнутых частот выступил тест Prime 95 в режиме Blend. Проверка производилась в течении десяти-двенадцати минут, как правило, этого достаточно для быстрого выявления нестабильности. В большинстве случаев при отсутствии ошибок в указанном диапазоне времени, скорее всего, их не будет и при более длительном тестировании.
Дополнительные вентиляторы для обдува модулей не использовались, поскольку в них не было нужды. Даже при серьёзном разгоне с повышением напряжения все планки памяти были чуть тёплыми и не более, не фиксировалось сильного нагрева и при установке напряжения питания 1.8 В. Контроль напряжения питания осуществлялся при помощи мультиметра Mastech MY64.
Для тестирования производительности применялся тот же тестовый пакет, что и в обзорах материнских плат. Методика тестирования производительности подразумевает следующие приложения и настройки:
Базовые настройки системы при тесте производительности:
Соответственно, при прочих равных в тесте изменялись только частота работы памяти и её задержки.
Информация, содержащаяся в SPD:
Профиля XMP нет, SPD профилей всего три, причём в них не хранится даже профиля для штатных частот. Информацию о номинальной частоте можно почерпнуть лишь в строке «Memory Speed». Штатное напряжение питания – 1.5 В.
Для начала - график разгона с «ровными» сочетаниями таймингов:
Не сказать, что память сильно радует результатами. При штатных таймингах 9-9-9-24 комплекту покорилась частота лишь в 1485 МГц, да и то, для получения такого результата пришлось установить напряжение питания 1.8 В. При штатных 1.5 В результат и того хуже – 1453 МГц. При изменении формулы задержек на более агрессивную, вида 8-8-8, результаты вообще печальны, ибо для преодоления штатной частоты 1333 МГц необходимо поднять напряжение вплоть до 1.75 В. Интересно, что хоть какой-то, но отклик на повышение напряжения питания сохраняется вплоть до отметки в 1.8 В.
Частота 1600 МГц покоряются комплекту только при задержках вида 10-10-10, причём для такого режима особо не требуется повышать напряжение выше штатного. Ну а максимальная частота, которой удалось достичь – 1694 МГц при 11-11-11, причём что примечательно, в отличие от всех остальных режимов – при 11-11-11 модули памяти хуже реагируют на увеличение напряжения питания, и уже после 1.6 В рост частот останавливается, а при превышении отметки 1.75 В потенциал модулей и вовсе начинает падать.
Отмечу, что при разгоне поведение модулей памяти было наиболее адекватным при TRFC 160.
Перед поиском оптимальной формулы таймингов сначала «по старой памяти» была предпринята попытка увеличения значения trcd над cas и trp, однако к положительным результатам это не привело. В дальнейшем я проверил, к чему может привести снижение значений trcd и/или trp над cas, и вот тут-то вскрылись некоторые интересности. Если уменьшить trcd и trp на единицу, тогда частотный потенциал памяти не изменяется по сравнению с «ровными» задержками, причём для всех режимов от CL8 до CL11 включительно. Но, что интереснее – без сильного падения частотного потенциала удалось снизить trcd и trp относительно cas на две единицы. Итоговый результат при «неровных» таймингах:
Наиболее сильное падение частотного потенциала от снижения trcd и trp относительно cas на две единицы наблюдается при использовании наиболее агрессивного режима – 8-6-6, причём можно отметить почти полное отсутствие реакции модулей памяти на изменение напряжения питания. Как результат, 1.3 В и 1.8 В разделяют всего 24 МГц.
С остальными режимами картина выглядит более радужной, и если при CL9 память по-прежнему не представляет интереса, то DDR3-1600 10-8-8 выглядит уже не так уныло, как 1600 10-10-10. Следует отдельно отметить и результаты при 11-9-9, ибо при такой формуле модули показали лучший отклик на рост напряжения питания, нежели в случае с 11-11-11, и в итоге с агрессивными задержками получен более высокий результат разгона, а именно – 1702 МГц. Конечно, зачастую хочется большего, но для комплекта стоимостью 1120 рублей за 8 Гбайт такой результат стерпеть можно.
Пора переходить к следующему комплекту, а именно – к Kingmax.
Информация, содержащаяся в SPD:
В отличие от предыдущего комплекта в SPD можно обнаружить профиль с заводскими частотами/таймингами, а именно – 1333 МГц 9-9-9-24. Штатное напряжение питания – 1.5 В.
График разгона с «ровными» сочетаниями таймингов:
Уже интереснее, и для бюджетных планок результат не может не радовать.
При отсутствии желания разгонять по частоте свыше штатных 1333 МГц есть возможность снижения таймингов до 8-8-8, в таком случае хватит даже напряжения питания 1.3 В. К слову, наблюдается хороший отклик на напряжение, даже с таймингами вида 8-8-8 разница между 1.3 В и 1.8 В в достигнутой частоте составляет 169 МГц. Дальше - больше, при штатных таймингах 9-9-9 уже при напряжении 1.4 В покоряются 1600 МГц, а максимально достигнутая при 1.8 В частота составляет внушительные 1742 МГц, что почти перекрывает результат комплекта GoodRam при CL11 и правильном подборе остальных задержек.
А переход на высокие задержки не оставляет никаких шансов упомянутому комплекту, при 10-10-10 память способна стабильно функционировать на частотах свыше 1900 МГц, а при 11-11-11 ей покоряется и психологически важная отметка в 2 ГГц. Максимально достигнутый результат – 2087 МГц при напряжении питания 1.75 В и таймингах вида 11-11-11. По сути, достигнут предел связки стендовой материнской платы и процессора при использовании Command Rate 1T. Кстати, планка в 2 ГГц преодолевается уже при 1.5 В.
Как и в случае с GoodRam – при тестировании использовалось значение TRFC 160.
Приступая к поиску оптимальной формулы таймингов, уже предугадывалось то, что вероятнее всего основные дивиденды будут получены при увеличении значения trcd над cas и trp, ибо высокочастотная память в основном отзывается именно на повышение trcd. В итоге, так и вышло. Причём, в зависимости от напряжений возможны варианты повышения trcd как на единицу, так и на две. Повышение trcd на три единицы каких-либо изменений уже не привносит. Максимальные частоты достигаются при равенстве cas и trp.
График, отображающий наиболее интересные тестовые режимы и поведение модулей памяти в целом:
Интересный комплект, не правда ли? Уже с таймингами вида 7-9-7 удаётся достичь частоты памяти 1600 МГц, хотя для этого требуется напряжение питания 1.75 В, которое в долгосрочной перспективе может быть небезопасным для модулей.
С режимами CL8 и CL9 наблюдается интересная тенденция – при повышении trcd на одну единицу перед cas и trp налицо равенство результатов по сравнению с режимом, где trcd повышен над cas и trp на две единицы вплоть до напряжения питания в 1.5-1.55 В. А вот при дальнейшем повышении напряжения питания разгонный потенциал начинает сильно отличаться. С таймингами 8-10-8 и 9-11-9 память очень хорошо реагирует на рост напряжения питания во всём диапазоне используемых значений, в итоге даже от перехода от 1.7 В к 1.8 В можно наблюдать немалый рост частоты.
С задержками вида 8-9-8 и 9-10-9 ситуация несколько иная: после 1.5-1.55 В отклик частотного потенциала на повышение напряжения питания хоть и есть – но он мал. В итоге (в зависимости от требуемых частот) могут пригодиться оба режима. А с учётом того, что память обычно берётся с запасом и надолго – на мой взгляд, более оптимальным выбором выглядит возможность использования низких напряжений и режимов с trcd, равным cas+1. Хотя для коротких бенчей можно использовать возможность памяти работать при trcd=cas+2 и высоких напряжениях.
Что ж, по сравнению с предыдущим комплектом – небо и земля. Следующий на очереди – комплект Silicon Power.
Информация, содержащаяся в SPD:
Модули памяти Silicon Power, определяемые в SPD как Nanya с микросхемами производства Elixir, это эдакое ассорти из мира памяти DDR3. С учётом того, что Nanya и Elixir вроде как одно лицо, всё это простительно. А вот то, что среди SPD профилей нет профиля с заводскими характеристиками – признак дурного тона, как немногим ранее было и с планками GoodRam (которые, по результатам тестирования я бы переименовал в «BadRam»). Информация о штатной частоте в 1333 МГц проскальзывает лишь в строке Memory Speed.
График разгона с «ровными» сочетаниями таймингов:
Довольно-таки уныло, и в целом похоже на результаты уже упоминавшихся выше планок памяти «BadRam». Хотя, несмотря на схожее поведение в разгоне, результаты у Silicon Power всё же выше и вполне устроят большинство пользователей. На штатных частотах можно без проблем выставить тайминги 8-8-8, причём даже при напряжении питания 1.35 В. С задержками 9-9-9 комплекту памяти пусть с трудом, но удаётся функционировать на частоте 1600 МГц, для этого и требуется напряжение питания чуть выше 1.65 В.
Если с переходом от 9-9-9 к 10-10-10 наблюдается даже больший рост частотного потенциала, чем при переходе от 8-8-8 к 9-9-9, то переход на задержки вида 11-11-11 практически не приносит пользы, особенно это касается низких напряжений, где разница совсем небольшая. К слову о напряжениях. Память не отличается сильным ростом частотного потенциала вне зависимости от таймингов (по крайней мере, при использовании «ровных» сочетаний). Максимальный достигнутый результат: 1862 МГц - вполне приемлемо, хотя по сравнению с более дешевыми модулями Kingmax, преимуществ у данного комплекта никаких. Цена выше, разгон хуже.
Отдельно отмечу, что наиболее стабильно память работала при TRFC 110, а при TRFC 160 периодически сбоила.
Приступая к поиску оптимальной формулы таймингов, в первую очередь было решено проверить режимы, используемые с памятью GoodRam, ибо на «ровных» сочетаниях таймингов поведение планок было схожим. И действительно, при снижении trcd и trp над cas на одну единицу результаты разгона памяти почти не изменились. А вот дальше, разница все же проявилась: снижение trcd на две единицы относительно cas модули памяти уже не «съели», а вот понизить ещё на единицу trp без сильного падения результатов разгона получилось. Таким образом, память позволяет использовать задержки вида 9-8-7 и прочие.
Итоговый результат при «неровных» таймингах:
Как можно видеть из графика выше, разница между задержками 9-8-8 и 9-8-7 минимальна, причём как в поведении, так и в абсолютных значениях частоты работы. Отмечу, что при напряжениях свыше 1.65 В разница между режимами почти отсутствует, а переход от 1.75 В к 1.8 В приводил только к снижению планки стабильности.
В случае с более высокими таймингами можно отметить одинаковый результат у режимов 10-9-8 и 11-10-9 при напряжении питания 1.3 В, однако при дальнейшем увеличении напряжения питания разница между режимами только росла, и в пике достигла почти 100 МГц. Максимально достигнутая частота, как и в случае с ровными таймингами, составила 1862 МГц, хотя переход с 11-11-11 к 11-10-9 всё же привёл к тому, что для достижения той же частоты необходимо напряжение питания на 0.05 В больше.
В общем, тайминги «урезать» удалось, но чуда не случилось. По сравнению с предыдущим комплектом результаты не радуют. Остался следующий, он же – последний в данном тесте «бюджетников», комплект памяти Kingston.
Информация, содержащаяся в SPD:
Очередной раз среди SPD профилей не находится места штатным характеристикам, как и в случае с GoodRam и Silicon Power. Что ж, среди принимающих в данном тестировании модулей памяти профиль с заводскими характеристиками можно увидеть только у Kingmax.
График разгона с «ровными» сочетаниями таймингов:
На штатных задержках максимальная достигнутая частота составила впечатляющие (по меркам этого обзора) 1749 МГц, что выше, чем у других участников тестирования, да и при 8-8-8 результаты лучше, чем у конкурентов. А вот при 10-10-10 и особенно при 11-11-11 планки памяти заметно сдают.
Не сказать, чтобы комплект ударил в грязь лицом, но и блестящими его результаты не назвать. Да, на низких напряжениях они отчасти удивляют, и в целом разгон неплох, но вот слабый отклик частотного потенциала на изменение напряжения питания радовать не может. Причём, как планки памяти не любят высоких напряжений, так, судя по всему, не любят и высоких частот, упираясь в планку 1878 МГц.
К слову, если выставить тайминги вида 12-12-12, то 1878 МГц будут достигнуты уже при 1.35 В без дальнейшего роста частот при повышении напряжения. Сложно сказать, кто виновник таких результатов, может быть, дело в низкопрофильной печатной плате или в микросхемах памяти, а может это какое-то особое проявление несовместимости с платформой АМ3 в целом или с ASUS M5A97 PRO в частности.
Как и с комплектами Kingmax и GoodRam, оптимальным значением TRFC является 160.
При подборе таймингов выяснилось, что trcd и trp надо опускать относительно cas, а не поднимать, в таком случае почти без потери частотного потенциала удаётся снизить тайминги. Причём, если trcd без заметного снижения разгона можно убавить только на единицу, то trp можно снизить как на две, так и на три единицы относительно cas. Да, результаты разгона от такого «издевательства» падают, но с учётом того, что частотный потенциал сверху все-таки ограничен, возможность использования таких таймингов есть.
Наиболее интересные режимы работы при «неровных» таймингах:
Режим 9-8-6 сильно отстаёт от 9-8-7, однако он позволяет достичь частоты в 1600 МГц. Отдельно отмечу, что при trp=cas-3 память реагирует на увеличение напряжения ещё более отвратно, нежели при «ровных» таймингах. Особенно это заметно в режиме 10-9-7, когда частотный потенциал начинает падать уже при превышении отметки штатного напряжения 1.5 В.
В то же время при trp=cas-2 отклик на рост напряжения присутствует, что видно по графику разгона при таймингах 9-8-7. Отсутствие отклика на повышение напряжения питания в режиме 10-9-8 – уже скорее следствие того, что память упирается в свой потолок по частоте.
Опираясь на результаты разгона, для теста производительности было выбрано три режима работы памяти.
Остальные настройки системы, повторюсь, идентичны, и различия кроются только в частоте работы памяти и её таймингов.
Таблица результатов тестирования производительности:
| Тест |
1333 9-9-9-24 | 1666 11-9-9-26 | 2000 9-11-9-26 |
| LinX, Гфлопс |
74.1246 | 75.3405 | 76.4265 |
| SuperPi 1M, с |
17.332 | 17.285 | 17.394 |
| wPrime 32M, с |
6.521 | 7.128 | 7.164 |
| wPrime 1024M, с |
204.391 | 204.564 | 205.159 |
| Fritz Chess Benchmark, с |
13905 | 13972 | 14059 |
| Cinebench R10, баллы |
22920 | 23099 | 23151 |
| Cinebench R11.5, баллы |
7.08 | 7.09 | 7.11 |
| POV-Ray, с |
189 | 188 | 187 |
| TOC F@H Bench, баллы |
6496.2 | 6500.4 | 6511.2 |
| WinRar Bench, баллы |
3382 | 3586 | 3695 |
| 7-Zip Bench, баллы |
21746 | 22191 | 22617 |
| Photoshop CS5, с |
122 | 122 | 121 |
| MeGUI, с |
141 | 139 | 139 |
| dBpoweramp Music Converter, Wave-mp3 (lame), с | 25 | 24 | 24 |
| dBpoweramp Music Converter, Wave-flac, с | 30 | 29 | 29 |
Конечно, результаты можно списать на тестовый пакет, но всё же они довольно показательны. В общем и целом, как минимум АМ3 платформе производительная оперативная память почти не нужна. Собственно, серьёзную разницу в результатах можно наблюдать разве что в тесте WinRar, в остальном расхождения не велики, особенно если сравнивать разгон худшего комплекта с разгоном лучшего, а не крайние результаты (штатные частоты против разгона). Причём, есть и интересные результаты – местами высокая частота работы памяти может только мешать, что показал тест wPrime 32M, хотя тут скорее сказывается не частота работы памяти, а используемый множитель памяти.
Подобью итоги по каждому из протестированных комплектов.
GoodRam DDR3 1333 2x4 Гбайта
Kingmax DDR3 1333 2x4 Гбайта
Silicon Power DDR3 1333 2x4 Гбайта
Kingston DDR3 1333 2x4 Гбайта
Какие выводы можно сделать по итогам тестирования четырёх комплектов бюджетной DDR3 памяти? В первую очередь отмечу результаты разгона. Провальными они оказались лишь у одного (так уж совпало, что у самого дешевого) «кита», ещё два набора показали более-менее удовлетворительные результаты, и только один участник смог преодолеть планку в 2 ГГц.
Стоит абстрагироваться от конкретных названий модулей и от их производителей, ибо на бюджетных планках зачастую можно встретить микросхемы любых производителей, и, соответственно, разного частотного потенциала. Гарантий применения на конкретных модулях конкретных микросхем просто-напросто нет, поэтому результаты разгона можно привязать не к производителям, скорее - к уровню удачливости потенциального покупателя.
К слову, на счёт удачливости – даже у худшего из протестированных комплектов результаты замера производительности не настолько сильно отличаются от хорошо разогнанной памяти. Да и при штатных частотах значительного провала в чем-то нет, так что если не стоит задачи гоняться за рекордами производительности, то можно смело брать бюджетную память.
