Компания Samsung решила громко заявить о начале выпуска микросхем памяти типа HBM2 второго поколения, которые способны передавать информацию со скоростью 2.4 гигабита в секунду в пересчёте на один контакт. При наличии 1024-разрядной шины это обеспечивает совокупную скорость передачи информации 307 гигабайт в секунду. Изделия Samsung предлагают восьмислойную компоновку и напряжение питания 1.2 В.

Надо сказать, что другой южнокорейский производитель памяти, SK Hynix, о своих достижениях в данной сфере пока не кричит. В каталоге продуктов за четвёртый квартал прошлого года значатся микросхемы HBM2 объёмом 4 ГБ и 8 ГБ, способные передавать информацию со скоростью 307 гигабайт в секунду. Номинальное напряжение составляет 1.2 В. Микросхемы данного типа объёмом 8 ГБ будут доступны в текущем квартале, менее ёмкие (4 ГБ) – во втором квартале. Таким образом, у производителей изделий, использующих скоростную HBM2, появится повод для торга с Samsung.