Samsung начинает выпуск микросхем памяти HBM2 нового поколения

12 января 2018, пятница 08:00

Вчера компания Samsung заявила, что приступила к массовому выпуску микросхем памяти типа HBM2 второго поколения, которые предлагаются в объёме 8 ГБ со скоростью передачи информации 2.4 гигабита в секунду в пересчёте на контакт по 1024-разрядной шине. Примечательно, что это достигается при напряжении 1.2 В. Памяти HBM2 первого поколения удавалось достичь скорости передачи информации 1.6 гигабита в секунду при напряжении 1.2 В, и 2.0 гигабита в секунду при напряжении 1.35 В.

Источник изображения: Samsung

Каждая микросхема HBM2 имеет восьмислойную компоновку, по сравнению с изделием первого поколения, улучшены тепловые характеристики. Совокупная скорость передачи информации – 307 гигабайт в секунду. Samsung даже присвоила памяти HBM2 второго поколения собственное имя – Aquabolt, хотя и первое поколение носило своё обозначение Flarebolt.

Samsung даёт весьма общее пояснение по поводу сферы применения HBM2 второго поколения: ускорение вычислений, искусственный интеллект и графические решения. Появится ли такая память на 7-нм версии Vega, только предстоит выяснить, а NVIDIA пока не делится своими планами по дальнейшему использованию HBM2. Зато корпорация Intel активно применяет HBM2 в своих ускорителях нейронных сетей и программируемых матрицах, так что недостатка в клиентах Samsung испытывать не будет.

Оценитe материал

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают