Исследователи из США представили техпроцесс с нормами 1 нм

Группа исследователей из Брукхейвенской национальной лаборатории под эгидой Министерства энергетики США представила техпроцесс с нормами 1 нм. Утверждается, что это новый рекорд для метода производства полупроводников с помощью электронно-лучевой литографии. В отличие от полупроводниковой литографии с помощью сканеров, электронно-лучевая литография не использует заранее созданные фотошаблоны, а наносит рисунок непосредственно лучом или пучком лучей, бомбардируя чувствительный слой на пластине.

Ранее с помощью аберационно-скорректированной электронно-лучевой литографии удавалось создать элемент размерами не больше 10 нм и с помощью специальных программ, управляющих растровым просвечивающим электронным микроскопом (STEM). Микроскоп на поверхности пластины (в чувствительном слое) оперировал группами атомов и инициировал процесс самосборки фотошаблона. Например, состав из золота и палладия позволял создать отдельный элемент шириной шесть атомов. Новый техпроцесс с использованием полимеров в чувствительном слое позволяет уменьшить размер элемента до 1 нм.

Для эксперимента исследователи использовали старый добрый плексиглас (органическое стекло) или, по-другому, полиметил метакрилат (poly-methyl methacrylate, PMMA). В качестве чувствительного резиста задействован силсесквиоксан водорода (hydrogen silsesquioxane). Чувствительный материал (резист) как обычно облучался электронным лучом, но свойства материалов дали возможность лучу манипулировать отдельными атомами, а не группами атомов. Это также открывает путь к созданию материалов с новыми свойствами, когда исследователи могут "превратить" материал в полупроводник или сделать его прозрачным, или создать иную комбинацию свойств.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.5 из 5
голосов: 31

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают