Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware GreenCo
С оглядкой на перспективу.

реклама

В декабре пройдёт очередная конференция International Electron Devices Meeting (IEDM), на которой нам расскажут о перспективных разработках в области полупроводников. Среди прочих докладчиков можно обнаружить разработчиков, плотно сотрудничающих с компанией TSMC. Один из докладов будет посвящён выпуску энергонезависимой памяти типа ReRAM с использованием стандартного техпроцесса с нормами 16 нм и с использованием FinFET транзисторов. Компания TSMC, кстати, не в первый раз замечена в интересе к производству перспективной резистивной "флэш"-памяти.

реклама

Традиционная структура памяти ReRAM — это скрещенные проводники со специальной полупроводниковой прослойкой, которая меняет сопротивление под воздействием электрического поля (прослойка насыщается ионами вещества или ионы выводятся из прослойки). Поэтому в общем случае память ReRAM так и называется — перекрёстная память. Специалисты из Тайваньского Национального Университета Цинхуа предложили структуру ReRAM, мало чем отличающуюся от структуры логики в рамках 16-нм FinFET техпроцесса. Это открывает путь к выпуску решений со встроенной памятью типа ReRAM. Причём для изготовления массива памяти ReRAM в составе процессора или графического ядра никаких дополнительных фотошаблонов не потребуется — только набор шаблонов для изготовления логики.

Элементарная ячейка ReRAM в представлении разработчиков состоит из трёх "рёбер". Одно "ребро" — это селектор, второе — собственно элемент с ячейкой из оксида гафния, подключённый к словарной шине. Назначение третьего ребра не раскрывается. Размер такой ячейки в 16-нм FinFET техпроцессе составляет 265 нм х 285 нм, а его площадь равна 0,07632 мкм. Документ описывает изготовление массива ёмкостью 1 Кбит. Все базовые материалы, кроме материала ячеек, представляют собой традиционный набор для изготовления транзисторов, включая high-k-диэлектрики. По словам разработчиков, такая память показывает превосходные скоростные и другие характеристики. В декабре, следует ожидать, о данной разработке нам будет рассказано больше.

Показать комментарии (18)

Популярные статьи

Сейчас обсуждают