Sony и Micron показали рабочий образец 16-Гбит RRAM

Вчера по следам докладов на конференции IEDM 2014 мы рассказали о варианте многослойной (3D) памяти типа RRAM (ReRAM) молодой компании Crossbar. Что важно, разработчик козыряет не только слайдами. У компании есть рабочий прототип в виде 4-Мбит микросхемы резистивной памяти. В то же время следует напомнить, что памятью типа RRAM занимаются вполне заслуженные компании и им тоже есть, что показать. Так, компании Sony и Micron представили на IEDM 2014 опытный образец 16-Гбит микросхемы RRAM. Это целых 2 Гбайт на одном кристалле! С таким нестыдно начать массовое производство и оно, если компании не подведут, обещает начаться в новом году.



Отметим, разработкой RRAM и подбором материалов для воплощения идеи в жизнь занимается компания Sony. Компания Micron выбрана партнёром лишь по тем соображениям, что у Sony нет производственных мощностей для выпуска RRAM. Сама компания Micron в своё время путём цикла поглощений приобрела технологии по производству энергонезависимой памяти с изменяемым фазовым состоянием вещества — PRAM или PCM (phase-change memory). К настоящему моменту она может похвастаться 128-Мбит микросхемами PRAM и дальнейшее увеличение ёмкости по разумной цене сильно под вопросом. Теперь, значит, RRAM.




Реальный образец памяти RRAM ёмкостью 4 Мбит компания Sony показала в 2011 году. В феврале 2014 года на конференции ISSCC 2014 компания заявила о подготовке 16-Гбит образца. Именно это воплощённое в кремнии решение было продемонстрировано партнёрами на прошлой неделе на IEDM 2014. Выпустила микросхему компания Micron. Техпроцесс — 27 нм. Ячейка памяти RRAM имеет относительные размеры 6F. Это достаточно большая площадь. Для сравнения, площадь современных ячеек памяти DRAM снижена с относительного размера 6F до 4F, что при прочих равных намекает на более высокую себестоимость кристаллов RRAM по сравнению с DRAM.




Как показали испытания опытного модуля RRAM, разработчики почти повторили теоретические выкладки. В таблице выше вы можете видеть сравнение теории с практикой. Устоявшаяся скорость чтения оказалась чуть ниже: 900 Мбайт/с. Скорость записи также была ниже теоретической: вместо 200 Мбайт/с — 180 Мбайт/с. Несколько больше были также параметры задержек. В целом же Sony сделала то, что планировала. Можно рассчитывать, что память RRAM хотя бы в виде готовых образцов будет доступна уже в новом году.




В качестве материала для слоя насыщения Sony использует медь. Токопроводящие нити в слое насыщения формируются за счёт ионов меди (компания Crossbar использует серебро, которое усложняет производственный процесс, больно уж активный материал). Интерфейс RRAM взят у памяти DDR DRAM, что позволит без особенных проблем сразу же приступить к установке резистивной памяти куда угодно (и отдельный привет от компании Rambus). Тем более, что быстродействие RRAM сравнимо со скоростью доступа к оперативной памяти. В общем, ждём. Надеемся, до коммерческого появления RRAM осталось недолго.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.6 из 5
голосов: 61

Комментарии 16 Правила

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают