Вчера состоялся официальный анонс 14-нм процессоров Intel Broadwell. Компания сообщила, что начался массовый выпуск новых решений, как и пошла поставка процессоров OEM-производителям вычислительной техники. Отметим, речь идёт о процессорах для сверхтонких систем и систем два в одном — трансформируемых ноутбуках или планшетах со съёмными клавиатурами — о моделях линейки Core M. Продукция на основе этих процессоров появится ближе к новогодним праздникам. Все прочие категории процессоров Broadwell, включая настольные версии и более производительные модели для ноутбуков, следует ждать только в 2015 году. Компания Intel первой приступила к массовому выпуску решений с использованием 14-нм техпроцесса, но сопровождающиеся с внедрением новых норм трудности затормозили этот процесс на срок от 6 до 9 месяцев.

В перспективе процессоры Broadwell должны стать основой всего спектра продукции, начиная с облачных (серверных) платформ и заканчивая вещами для подключения к Интернет. Техпроцесс с нормами производства 14 нм позволил снизить значение TDP моделей без ухудшения производительности примерно в два раза по сравнению с процессорами предыдущего поколения (Haswell-Y) — до 5-6 Вт. Тем самым сценарное потребление может опускаться до 3 Вт, а может и ниже. По крайней мере, это справедливо для процессоров с литерой Y (ультрабуки и 2-в-1). Столь малое рабочее потребление приведёт к широкому появлению устройств без активного охлаждения.

Уменьшение масштаба техпроцесса производства позволило уменьшить размеры кристалла с 24 х 40 х 1,5 мм до 16,5 х 30 х 1,04 мм (справедливо для двухъядерных Haswell/Broadwell Y). Во втором поколении технология производства вертикальных FinFET транзисторов немного претерпела изменения. Изменилась форма рёбер, а сами рёбра стали выше. Это связано с тем, что для сохранения производительности необходимо было выдержать определённые рабочие токи. Поскольку рабочая поверхность затвора у FinFET — это обе боковые грани и верхняя грань, то компания пошла на увеличение высоты ребра с одновременным уменьшением его толщины. Это также увеличило плотность размещения рёбер (транзисторов).

В таблице выше мы видим данные Intel, дающие возможность сравнить 22-нм техпроцесс и 14-нм. Компания демонстрирует хорошую масштабируемость при смене поколений техпроцесса. Расстояние между рёбрами снижено с 60 до 42 нм, длины затворов уменьшены с 90 до 70 нм, а длины минимальных соединений — с 80 до 52 нм. Другой детальной информации компания пока не предоставила, но обещает сделать это в ближайшем будущем.