Закон Мура, а на деле выявленную условную закономерность в регулярном приросте числа транзисторов на кристалле, хоронили не раз и не два. Сегодняшнее состояние в сфере производства полупроводников грозит похоронить его окончательно и бесповоротно. Старые 193-нм сканеры уже не могут так просто взять и преодолеть 25-нм барьер, а новые EUV, с 13-нм излучением, хороши только в лабораторных условиях. Как вариант себя может проявить нанопечатная литография. Пару дней назад мы сообщали, что компания Toshiba вместе с компанией Canon собираются в следующем году приступить к штамповке 15-нм микросхем флэш-памяти. Но есть ещё один резерв — это фотолитография с использованием самоорганизующихся структур.

Самоорганизующиеся структуры представляют собой некий сополимер, состоящий из органических и неорганических молекул, в которые для придания молекулярного веса может вноситься атом полупроводника. С помощью обычной прямой проекции на полупроводниковой пластине (на фоторезисте) расставляются химические маркеры, вокруг которых начинается самосборка молекул сополимера. Таким способом, считают разработчики из Массачусетского Технологического Института (MIT), можно без особенных затрат преодолеть барьер в 20-нм.

По замыслу MIT, проекционное оборудование должно быть электронно-лучевым (electron beam lithography). В принципе, данный тип фотолитографии способен создавать рисунок с достаточно маленькими элементами, но с уменьшением масштаба техпроцесса скорость электронно-лучевой проекции радикально снижается. Как вариант можно использовать техпроцесс, в котором не будет надобности ждать окончания проекции: сополимер для создания шаблона может вноситься уже на этапе проекции на участки, по которым лучи уже отработали. Этакий конвейер непрерывного цикла. Подобный подход обещает оказаться экономически обоснованным, в отличие от четырёх-пяти циклов с помощью традиционного оборудования.

Добавим, опыты с самоорганизующимися структурами несколько лет назад активно проводили производители жёстких дисков. У них стояла задача создать на пластинах регулярные структуры с намагниченностью — паттерны. В 2010 году компания Hitachi показала пластину, каждая точка которой имела диаметр 12 нм. В то же время надо понимать, что создать массив равноудалённых островков — это одно, а нарисовать сложную фотомаску — это совсем другое.