Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware GreenCo
Будет сделано в Intel.

реклама

В рамках существующих технологий и инструментов для выпуска полупроводников дальнейшее наращивание площади кристалла становится невыгодным. Это касается любых разработок, которые через совсем короткое время надо будет наращивать не вширь, а ввысь. Делать это можно по-разному, например, начать с вертикальных транзисторов. Затем прилепить к одному кристаллу другой. Сначала это можно сделать грубо. Просто вырезаем пару-тройку кристаллов с подложкой, на которой они находятся, и дальше монтируем их на одном общем основании или лепим их в столбик с использованием проводной обвязки или соединяем металлизированными каналами.

Следующим шагом должны стать тонкие металлизированные соединения TSVs, предназначенные для стекового (в основном) соединения кристаллов с минимальным участием подложек, которые удаляются из-под кристалла. Наконец, о чём пока приходится только мечтать, многослойные микросхемы или настоящее 3D — это послойное создание полупроводниковых решений в условно монолитном кристалле.

реклама

Путь большой, но его придётся проделать, делится своими чаяниями представитель компании Intel и содиректор компании IM Flash Technologies (IMFT) — Кейван Эсфарджани (Keyvan Esfarjani). Компания IMFT, напомним, это совместное предприятие Intel и Micron по выпуску NAND-флэш.

Сегодня IM Flash Technologies выпускает 20-нм NAND-флэш. Впереди неё на этом пути лишь Toshiba (19 нм) и Samsung (ниже 20-нм, но они не уточняют сколько). Сейчас все производители наращивают ёмкость микросхем с помощью многослойных комбинаций. Вскоре придётся думать не о 16 слоях, а о 32 и 64. Параллельно будут идти процессы по переходу от планарных транзисторов к вертикальным, что тоже повысит плотность флэш-памяти. Кроме этого будут разрабатываться технологии по созданию вертикальных каналов с наращиванием числа хранящихся в ячейке данных — это так называемые структуры gate-all-around (GAA). Технология MLC (многоуровневая ячейка) обещает перерасти два бита и стать мультибитной.

В Intel считают, что современную флэш-память на планарных транзисторах можно уменьшить в масштабе ещё два раза и со временем выпустить, скажем, 15-нм и 10-нм NAND-флэш. Но уже с освоением выпуска 15-нм флэш-памяти придётся начинать активно работать по созданию энергонезависимых 3D-структур. При этом объёмные кристаллы необязательно выпускать с применением самых современных техпроцессов. Экономически оправдан будет даже 40-нм техпроцесс. Трудность в другом — физически не сжечь нижележащие слои в процессе наращивания слоёв и создать надёжные межслойные соединения.

Компания Intel планирует также развивать "механизмы" хранения заряда в ячейке. Для этого совершенствуются технологии с использованием нитридных плёнок, способных хорошо удерживать заряд, как и отказ от традиционных плавающих затворов в пользу ловушек для заряда. Иначе говоря, плотность флэш-памяти будет расти как за счёт совершенствования ячеек и управляющих ими транзисторов, так и за счёт перехода к многослойным структурам. Осталось только всё это внедрить на практике.

Показать комментарии (17)

Популярные статьи

Сейчас обсуждают