SK Hynix поможет сделать бездефектные фотошаблоны для EUV-литографии

Первые эксперименты с экспонированием в глубоком ультрафиолете или EUV (EUVL) начались в 2000 году. В принципе, крупные производители готовились перейти на EUV-диапазон примерно к 2008-2010 годам, но обстоятельства сложились так, что раз за разом приходилось удлинять жизнь привычной иммерсионной литографии с использованием 193-нм лазеров. Но бесконечно тянуть с переходом проекционного оборудования на 13-нм длины волн нельзя. Подобное оборудование понадобится не позднее, чем через пять лет. Производители полупроводников это понимают, что мы видим на примере огромных вливаний со стороны компаний Intel, TSMC и Samsung в производителя оборудования для выпуска полупроводников — компанию ASML.

реклама

Как стало известно, на днях профильной группе разработчиков свои силы и средства предложила южнокорейская компания SK Hynix — этот один из крупнейших производителей компьютерной памяти вошёл в состав консорциума EMI (EUVL Mask Infrastructure). Консорциум EMI создан компанией Sematech, производителем литографического оборудования для выпуска полупроводников, и компанией Carl Zeiss, производителем высокоточной оптики. Группа EMI занята вопросами создания фотошаблонов (масок) для EUV-литографии. Компания SK Hynix обещает помочь участникам консорциума в разработке технологий, способных устранить появление дефектов в фотошаблонах.

Проблема дефектов в масках — это ключевой вопрос для организации массового производства. Причём в случае EUV-литографии всё будет внове. Если для иммерсионной литографии причины для появления дефектов были одни, например, неравномерности на границе раздела сред между жидкостью и фоторезистом, то в случае воздушной EUV-проекции дефекты будут возникать по другим причинам. К примеру, вследствие возникновения статического заряда от ионизирующего жёсткого излучения. Основные проблемы разработчики обещают решить в течение двух лет, чтобы уже к середине 2014 года начать выпуск соответствующего производственного оборудования. Предполагается, что EUV-литографию можно будет внедрять, начиная с 16-нм техпроцесса.

Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news - это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.8 из 5
голосов: 32

Комментарии Правила

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают