Производитель кремниевых подложек для микроэлектроники фирма Soitec S.A. заявляет, что у производителей полупроводников есть возможность избежать долгого и тернистого поиска путей совершенствования транзисторов из полностью обеднённого кремния, как об этом сообщает сайт EE Times своим читателям. Добиться этого можно благодаря применению новых подложек, сделанных по технологии "кремний на изоляторе" (SOI), причём такие компании, как STMicroelectronics NV, ST-Ericsson и IBM Corp, Soitec уже удалось в этом убедить, склонив к сотрудничеству в области производства микросхем по 28нм и 14нм техпроцессу.

Основной проблемой, с которой сталкиваются производители микроэлектроники, по техпроцессу менее 32нм, это примеси в слое транзисторов, которые приводят к утечкам тока. Для решения этой проблемы Intel, например, разработала технологию создания токопроводящих каналов без примесей, что позволило ей продолжить использование обычной кремниевой пластины, в качестве подложки. Soitec, в свою очередь, предлагает применять для этих целей свои специальные подложки, которые представлены в двух вариантах, для плоских и для трёхмерных транзисторов.

Хотя стоимость данной продукции примерно в 4 раза выше стоимости кремниевой пластины аналогичной площади, менеджеры Soitec уверены, что в итоге использование их подложек окажется более выгодным. Оно позволит производителю микросхем избежать дополнительных этапов в производстве, тем самым сэкономив на разработке и монтаже оборудования. В итоге, применение подложек Soitec позволит сравнительно безболезненно перейти на более тонкий техпроцесс.