Производители микросхем, использующие материалы с высоким значением диэлектрической константы и металлизированные затворы (так называемая HKMG-технология), применяют два подхода к формированию затвора транзистора: до температурной обработки кремниевой пластины (gate-first) и после такой обработки (gate-last). Ведущие производители полупроводников по этому признаку разделились на два лагеря, но некоторые из них переходят с одной стороны на другую.

В частности, компания Samsung на днях отчиталась, что ей удалось в сотрудничестве с ARM, Cadence Design Systems и Synopsys выпустить первые образцы процессоров, изготовленных с использованием 20 нм технологии в HKMG-варианте с депонированием затворов после термической обработки. Предыдущие разновидности HKMG-технологии, опирающиеся на нормы 32 нм и 28 нм, использовали подход gate-first.

Компания Samsung готова предложить клиентам средства разработки процессоров, которые будут выпускаться на её мощностях по 20 нм технологии. Это значит, что в обозримом будущем на рынке могут появиться микропроцессоры, изготовленные по 20 нм технологии.