реклама
Как отмечает источник, чип произведён на базе 32 нм техпроцесса с использованием давно известной технологии SOI (кремний на изоляторе), что привело к 30% увеличению производительности и 40% снижению энергопотребления, при этом задержки не будут превышать 2 нс. Если сравнить eDRAM и SRAM напрямую, то для достижения схожих результатов последней из них нужно быть выполненной по 15 нм нормам. Словом, новая разработка позволяет некоторым образом “опередить время”.
В IBM также отмечают, что количество ошибок вследствие электрических зарядов снижено в 1000 раз! eDRAM обязательно найдёт свои сферы применения, будь то серверы, или более простые продукты, например принтеры и новые поколения игровых консолей, вполне могут обзавестись данным типом памяти.
Сейчас обсуждают