Компания Elpida сегодня объявила о завершении подготовки к производству новых микросхем памяти типа DDR-2 плотностью один гигабит, которые при использовании 65 нм техпроцесса обеспечивают выход с одной пластины диаметром 300 мм на 20% больше чипов, чем соответствующие 65 нм изделия первого поколения. Это позволит снизить на 20% себестоимость производства микросхем памяти по 65 нм технологии, и при этом отложить момент перехода на 50 нм технологию без существенного ущерба для компании, если это потребуется. Конкурировать с 50 нм микросхемами памяти других производителей Elpida собирается при помощи 65 нм микросхем второго поколения.

Массовое производство 65 нм микросхем по новой технологии начнётся до конца 2008 года на заводе Elpida в Хиросиме, на совместном тайваньском предприятии Rexchip и на мощностях компании PSC. В конце декабря также начнётся выпуск первых 50 нм микросхем памяти Elpida, что на пару-тройку месяцев раньше запланированного срока. Новый техпроцесс позволит создавать микросхемы с площадью ядра менее 40 кв.мм, а также в полтора раза увеличить количество чипов, получаемых с одной кремниевой пластины.