Из чипов Samsung теперь можно делать модули DDR-3 объёмом 4 Гб и выше

Появление более плотных микросхем памяти позволяет не только создавать модули памяти большей ёмкости, но и снижать удельную стоимость одного гигабайта оперативной памяти. Компания Samsung в понедельник сообщила, что начала пробные поставки 2-гигабитных микросхем DDR-3, выпускаемых по 50 нм технологии. Помимо увеличения плотности хранения информации, они обеспечивают на 40% более низкое энергопотребление по сравнению с существующими микросхемами.

До настоящего времени 2-гигабитная плотность достигалась размещением двух микросхем памяти в одной упаковке. Теперь можно довольствоваться одной микросхемой. На базе новых чипов DDR-3 можно создавать модули памяти объёмом 4 Гб в исполнении DIMM и SO-DIMM, а также регистровые модули памяти объёмом до 8 Гб. Кроме того, при использовании двухчиповой компоновки объём такой памяти можно увеличить до 16 Гб на модуль.

Рассматриваемые микросхемы работают на скоростях до DDR3-1333 при напряжении 1.35-1.5 В. Массовое производство этих микросхем будет запущено до конца текущего года. По оценкам аналитиков, к 2011 году микросхемы памяти типа DDR-3 достигнут доли рынка в 72%, причём каждая третья из них будет двухгигабитной.