Южнокорейское издание The Chosun Daily взяло на себя смелость заявить, что страдающая от различных проблем в бизнесе Samsung Electronics решила попробовать обойти SK hynix на этапе подготовки к производству памяти типа HBM4. По данным источника, в начале этого месяца Samsung завершила разработку базового кристалла с управляющей логикой для HBM4 и передала необходимую для опытного производства документацию своему контрактному подразделению. Оно должно будет в ближайшее время наладить выпуск образцов этого кристалла по фирменной 4-нм технологии.
Этот самый базовый кристалл позволяет адаптировать микросхемы HBM4 под нужды конкретных заказчиков, и наличие у Samsung собственных производственных мощностей контрактного типа позволит компании получить некоторое преимущество по сравнению с SK hynix, которая вынуждена будет полагаться на услуги TSMC. Правда, если первоначально SK hynix свои базовые кристаллы собиралась заказывать по 5-нм техпроцессу, то теперь она ориентируется на 3-нм техпроцесс, чтобы не проиграть гонку с Samsung.
Расположенные в несколько ярусов чипы в составе стека HBM4 могут существенно нагреваться, поэтому производители заинтересованы в использовании более прогрессивных литографических технологий. Samsung также планирует использовать более продвинутый техпроцесс 10-нм класса шестого поколения при производстве самих чипов DRAM для стеков HBM4, тогда как SK hynix может ограничиться 10-нм техпроцессом пятого поколения. Наконец, Samsung перейдёт на использование более современного гибридного метода формирования связей между кристаллами памяти в стеке HBM4 с медными проводниками. Компания надеется быстрее конкурента начать выпуск образцов HBM4 и поставить их клиентам для тестирования.
