реклама
Вместе с тем, компания Corsair использует чипы Samsung DDR 466 для производства модулей типа DDR 500, так что официальное название – это лишь формальность. Впрочем, для памяти Hynix DDR 500 подобное утверждение тоже справедливо :).
Понятно, что ОЕМ-модули памяти отличаются гигантским разбросом разгонных характеристик, что делает эффективность обзоров с разгоном весьма низкой. Например, если вы видите статью о модулях DDR xxx производства компании xxx, в которой память достигает заоблачных частот при низких таймингах, то после покупки аналогичных модулей в магазине вы отнюдь не обязательно добьетесь аналогичных результатов.
реклама
Тем не менее, наши коллеги на сайте Anandtech взяли на тестирование 4 планки Samsung DDR 466 объемом по 256 Мб (односторонние модули), и сравнили их с продукцией различных оверклокерских брендов.
На номинальной частоте 466 МГц DDR модули работают при значении таймингов 3-4-4-8 и напряжении 2.6 В. При синхронном разгоне (1:1) удалось достичь частоты 535 МГц DDR, тайминги остались прежними (3-4-4-8), напряжение пришлось увеличить до 2.75 В. Примечательно, что в режиме DDR 400 эта память работает при значении таймингов 2.5-3-3-5. То есть, некоторая претензия на универсальность все же остается, и модули PC3700 можно использовать при асинхронном разгоне.
Конечно, 535 МГц DDR – это далеко от рекордов, поставленных памятью лучших производителей, но для "народного бренда" очень даже неплохо. Если учесть доступность цены и широкое распространение такой памяти, то результаты тестирования можно признать удовлетворительными. Статистика разгона таких модулей еще не накоплена, и память Hynix пока выглядит более привлекательной, но обобщать в разгоне памяти все же не следует. Приятно осознавать, что альтернатив дорогим оверклокерским модулям становится все больше :).
Сейчас обсуждают