Ещё летом этого года SK hynix дала понять, что разрабатывает память типа HBM3, а теперь она выпустила пресс-релиз о завершении этого процесса. Ключевым информационным поводом, разумеется, стал факт опережения конкурентов в создании нового типа памяти, который найдёт применение в центрах обработки данных и платформах для машинного обучения. Ни слова о потенциале использования HBM3 в сегменте видеокарт в данном пресс-релизе не содержится.

Память типа HBM3 отличается увеличенной на 78% пропускной способностью по сравнению с HBM2E – соответствующий показатель вырос до 819 Гбайт/с. Толщина одного кристалла в стеке HBM3 не превышает 30 мкм – это примерно треть толщины стандартного листа бумаги формата A4. В одном стеке могут размещаться до 12 ярусов ёмкостью по 24 Гбайт каждый. Более доступной альтернативой будут считаться чипы объёмом по 16 Гбайт. Встроенный механизм коррекции ошибок повысит надёжность работы систем, использующих память этого типа. Когда HBM3 начнёт поставляться первым клиентам, SK hynix признаться не спешит.