В строительство и оснащение предприятия по производству памяти типа 3D NAND в китайском Даляне компания Intel вложила огромные деньги, поэтому сейчас она не упускает малейшего случая заявить об успешном функционировании этого подразделения. Выпуск памяти типа QLC 3D NAND на предприятии был освоен в конце 2018 года, но недавно Intel отгрузила десятимиллионный накопитель на базе соответствующих микросхем.

В конце прошлого года QLC 3D NAND в исполнении Intel перешла от использования 64 слоёв к 96 слоям, а в этом году должен быть освоен выпуск 144-слойной памяти данного типа. Ассортимент соответствующих твердотельных накопителей пока не так велик: Intel 660p, Intel 665p и «гибридные» Optane H10, которые сочетают QLC 3D NAND с памятью типа Optane. Эти накопители находят применение в серверных и клиентских системах.