SK hynix объявила о завершении разработки самой быстрой мобильной памяти DRAM, которую назвали LPDDR5T, обозначение T расшифровывается как Turbo. Скорость передачи данных «турбированной» памяти SK hynix достигает 9,6 гигабит в секунду (Гбит/с), таким образом компания делает ещё один рывок, повышая скорость на 13% относительно представленной в ноябре прошлого года LPDDR5X 8,5 Гбит/с. При этом новая память продолжает работать в диапазоне напряжений 1,01…1,12 В, установленном спецификациями JEDEC, сохраняя сверхнизкое энергопотребление.
Память LPDDR5T производится по технологическим нормам 1a (4-е поколение 10-нм технологии) с применением материалов HKMG (High-K Metal Gate). Образцы продукции на базе новых чипов уже отправлены клиентам, а массовое производство планируется начать во второй половине года. В SK hynix считают, что за счёт своих скоростных характеристик LPDDR5T возглавит рынок до разработки LPDDR6 следующего поколения, найдя широкое применение не только в смартфонах, но и в сегментах искусственного интеллекта, машинного обучения, дополненной и виртуальной реальности.
- Источники
- SK hynix
- TechPowerUp
