Специалисты ресурса ComputerBase приняли участие в мероприятии Samsung Tech Day 2021, где южнокорейский производитель рассказал, чего стоит ожидать на рынке памяти в ближайшем будущем. Samsung будучи членом JEDEC уже может назвать предполагаемые технические характеристики DDR6, спецификации которой находятся в работе и могут быть утверждены к 2024 году. Скорость работы в новом стандарте JEDEC должна возрасти до 12800 МТ/с, а с разгоном уровень может повыситься и до 17000 МТ/с. В DDR6 произойдет удвоение внутренних каналов и банков памяти относительно DDR5.
ComputerBase также приводит не менее интересную информацию относительно текущего поколения графической памяти GDDR6. Samsung планирует начать производство чипов по техпроцессу 1z и повысить пропускную способность до 24 Гбит/с, обновленные чипы могут получить обозначение GDDR6+. Сроки доступности не называются. Можно предположить, что такая скоростная память стала бы отличным дополнением для флагманских графических процессоров в будущем поколении видеокарт от компании AMD, которое должно появиться в следующем году. Сейчас AMD использует GDDR6 чипы Samsung в некоторых моделях Radeon RX серии 6000.
Следующее поколение GDDR7 от Samsung находится в разработке. Пропускная способность на контакт должна увеличиться до 32 Гбит/с. Защита от ошибок в реальном времени — одна из новых функций.
Во втором квартале 2022 года производитель планирует начать массовое производство памяти HBM3 с пропускной способностью 800 ГБ/с, также в планах выпуск HBM2E среднего уровня 450 ГБ/с.
