Компания Samsung достигла значительного прогресса в улучшении MRAM памяти, что позволит начать ее активное внедрение в широкий диапазон устройств, сообщает издание The Elec со ссылкой на выступление главного инженера Samsung Foundry на выставке Semicon Korea 2021 в Сеуле.

Первая коммерческая реализация магниточувствительной памяти с произвольным доступом от Samsung была представлена в 2019 году. Чипы основывались на 28FD-SOI техпроцессе и использовали структуру полностью обедненного кремния на изоляторе.

MRAM является энергонезависимой, используя магнитные запоминающие элементы, в отличие от флэш-памяти, хранящей данные в виде электрического заряда. В 2019 году Samsung заявляла о 1000-кратном скоростном преимуществе MRAM над флэш-памятью за счет отсутствия циклов стирания.

Недостатков MRAM не лишена — низкая плотность записи не позволяет создавать чипы большого объема. Первые тестовые экземпляры позволяли хранить 1 ГБ данных и предназначались для микроконтроллеров, интернета вещей и искусственного интеллекта. Теперь компания планирует использовать MRAM память в автомобильных системах, графических ускорителях и даже носимых устройствах.