Samsung, вероятно, полагается на чип Snapdragon 8 Gen 4 для своего нового Galaxy S25. По мнению ресурса SamMobile, это должно привести к огромному скачку производительности по сравнению с предшественником. Snapdragen 8 Gen 3 в настоящее время работает, в частности, в Samsung Galaxy S24 Ultra.

Изображение из открытых источников

Согласно более ранним утечкам, Snapdragon 8 Gen 4 набрал в тестировании утилитой Geekbench оценку в 2800 баллов в одноядерном режиме. Уже одно это — огромный скачок по сравнению с 2100 баллами, достигнутыми Snapdragen 8 Gen 3. Однако последние утечки предполагают, что чип еще мощнее и также должен обогнать в производительности iPhone 16 Pro.

Соответственно, в одноядерном режиме у Snapdragon 8 Gen 4 будет 3500 баллов — на 200 баллов выше показателя Apple A18, который предполагается использовать в iPhone 16 Pro. Впервые смартфон Samsung показал лучшие результаты в тестах, чем телефон Apple.

Snapdragon 8 Gen 4 от Qualcomm станет первым процессором, изготовленным с использованием 3-нанометрового процесса. Чип, вероятно, будет представлен в октябре. Он будет состоять из двух ядер производительности (P-ядра) и шести ядер эффективности (Е-ядра) с тактовой частотой 4,3 ГГц и 3,8 ГГц соответственно.

Конечно, чистые результаты тестов — это всего лишь предварительные данные. Управление температурным режимом также имеет решающее значение для производительности смартфона. Тепло, выделяемое чипом, в конечном итоге необходимо распределять так, чтобы он не перегревался и не обеспечивал меньшую мощность.